112年 - 112 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_從業評價職位人員／電氣、電子電機：電子學 #120561

3.如【圖 3】所示，假設電晶體 β＝100、VBE(sat)＝0.8V、VCE(sat)＝0.2V，欲使電晶體進入飽和狀態， 則 RC 最小值為何？(A) 100Ω (B) 113Ω (C) 200Ω (D) 227Ω

6.如【圖 6】所示電晶體放大電路，若電容 C3 故障開路，則下列何者錯誤？(A)輸入阻抗變小 (B)輸出阻抗變大 (C)電流增益變小 (D)電壓增益變小

9.如【圖 9】所示電路，運算放大器之飽和電壓為±12V，下列何者正確？(A)若 Vi＝+4V 則 Vo＝+12V (B)若 Vi＝+4V 則 Vo＝-12V (C)若 Vi＝-2V 則 Vo＝+8V (D)若 Vi＝2V 則 Vo＝+6V

10.如【圖 10】所示之電路，欲使電壓增益為–10，且輸入電阻為 20kΩ。則 R1 及 R2 之值各約為何？(A) R1＝2.5kΩ，R2＝25kΩ (B) R1＝20kΩ，R2＝200kΩ (C) R1＝25kΩ，R2＝2.5kΩ (D) R1＝200kΩ，R2＝20kΩ

15.如【圖 15】所示電晶體共基極放大電路，已知 V_BE＝0.7V、β＝100、熱電壓 V_T＝26mV，求該電路 電壓增益 A_v＝？(A) 3 (B) 99 (C) 149 (D) 200

17.如【圖 17】所示之電路，假設 OPA 為理想，V1＝3V、V2=-2V，求其輸出電壓為何？(A) –8V (B) –2V (C) ＋2V (D) ＋8V

18.如【圖 18】所示為儀表放大電路，假設兩個 OPA 均為理想，若 Vs =3V，試求其輸出電壓 Vo？(A) Vo = 3V (B) Vo = 6V (C) Vo = 9V (D) Vo =12V

19.如【圖 19】所示之電路，假設 OPA 為理想，若 Vi＝4V，運算放大器的飽和電壓為±13V，則 VA 為何？ (A) -4V (B) 0V (C) 3V (D) 4V

20.如【圖 20】電路中，U1 為理想運算放大器，若 R1＝1kΩ、R2＝10kΩ、R3＝5kΩ、R4＝50kΩ，V1＝ 8V、V2＝7V，試求 Vo＝？(A) -15V (B) -10V (C) 1V (D) 15V

21.如【圖 21】所示之電路，假設 OPA 為理想，運算放大器的飽和電壓為±13V，R1 = R2 = R3 下列何 者錯誤？(A)正回授因數 β 為 0.5 (B) Vc 為三角波，振幅為±6.5V (C)振盪週期為 2R₁C₁ln(3)秒 (D) Vo 為方波，振幅為±10V

23.中間抽頭式二極體整流電路如【圖 23】所示，若交流側電壓 Vs =12 V(有效值)，則二極體 D1 的逆 向峰值電壓(peak inverse voltage, PIV )為何？(A) 12 V (B) 24 V (C) (D)

26.某交流電壓的時間函數，此交流電壓的頻率約為何？ (A) 314 Hz (B) 157 Hz (C) 100 Hz (D) 50 Hz

27.週期性的脈波電壓如【圖 27】所示，，若最大值為 10V，則此電壓的平均值為何？(A) 1.5V (B) 2.5 V (C) 5.0 V (D) 7.5 V

28.如【圖 28】所示的電路為何種濾波器？(A)高通濾波器 (B)低通濾波器 (C)帶通濾波器 (D)帶拒濾波器

30.有關 N 通道加強型 MOSFET 在飽和區操作，V_t 為臨界電壓(threshold voltage)，V_GS 為閘極-源極電壓， K 為 MOSFET 參數，汲極電流 I_D為何？ (A)(B)(C)(D)

31.有關 N 通道加強型 MOSFET 在飽和區操作，Vt 為臨界電壓(threshold voltage)，VGS為閘極-源極電壓， K 為 MOSFET 參數，轉移電導(互導)gm為何？ (A)(B) (C)(D)

34.理想運算放大器的電壓隨耦器如【圖 34】所示，其電壓增益為何？ (A) -0.5 (B) -1 (C) 1 (D) 0.5

36.運算放大器所組合電路如【圖 36】所示，此電路的名稱為何？(A)微分電路 (B)積分電路 (C)除法電路 (D)乘法電路

38.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 38】所示，若 BJT 切入電壓 V_BE = 0.7V，β = 100， V_BB = 5.7V，V_CC = 10V， R_C = 2kΩ ， R_B = 200kΩ ，則直流偏壓的集極電流I_C 為何？

(A) 10 mA (B) 5 mA (C) 2.5 mA (D) 1 mA

39.橋式整流電路如【圖 39】所示，若交流側輸入電壓有效值E_S 為 100V，則輸出電壓平均值約為何？(A) 141.4V (B) 100V (C) 90V (D) 63.6V

40.如【圖 40】所示電路，二極體為理想特性，若 V_DD = 6V，R₁ =1kΩ，則電流 I_R 為何？(A) 2 mA (B) 3 mA (C) 4 mA (D) 6 mA

41.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 41】所示，若 BJT 的 β = 100，R_C=500Ω，V_CC=10V， I_B=1mA，則下列何者正確？

(A)電晶體操作於主動區 (B)電晶體操作於飽和區 (C)電晶體操作於截止區 (D)電晶體集極電流 IC =100mA

42.如【圖 42】所示之理想運算放大電路，R₁=R₂=10kΩ，R_f=R₃=20kΩ，若 V₁=2V、V₂=3V，則在正常操 作其輸出電壓 V₀ 為何？

(A) 2V (B) 4V (C) 5V (D) 6V

43.由 MOSFET 組成數位邏輯閘如【圖 43】，此為何邏輯閘？
(A)及閘(AND gate) (B)或閘(OR gate) (C)反及閘(NAND gate) (D)反或閘(NOR gate)

44.雙極性接面電晶體(BJT)操作於主動區其 T 型小信號模式如【圖 44】所示，BJT 的 β = 50 ，熱電壓 V_T =25mV，若直流偏壓的集極電流 I_C =1.2mA，則轉移電導(互導)gm為何？
(A) 28 mA/V (B) 48 mA/V (C) 68 mA/V (D) 88 mA/V

45.雙極性接面電晶體(BJT)在主動區操作其混合 π 型小信號模式如【圖 45】所示，BJT 的 β = 100 ，熱電壓 V_T = 25mV ，若直流偏壓時的電流 I_B = 25 μA ，則電阻 r_π 為何？
(A) 500Ω (B) 1.0 kΩ (C) 1.5 kΩ (D) 2.0 kΩ

46.共射極放大電路如【圖 46】所示，BJT 的 β = 50 、切入電壓 V_BE = 0.7V、R_C = 2kΩ，V_CC = 12V， 若直流偏壓的 V_CE = 6V ，則電阻 R_B 約為何？
(A) 88 kΩ (B) 188 kΩ (C) 288 kΩ (D) 388 kΩ

47.共源極放大電路如【圖 47】所示，若 MOSFET 小信號模式的轉移電導 g_m = 2mA/V 、輸出電阻 r_d = 50kΩ ，忽略電容 C_D 及 C_G效應，則小信號的電壓增益為何？

(A) -100 (B) -75 (C) -50 (D) -25

48.理想運算放大電路如【圖 48】所示，若輸入電壓 v_i = 0.1sin(250 t ) V ，輸出電壓 v_o = 2.0sin(250 t) V， 則電阻 R₁ 為何？
(A) 10 kΩ (B) 5 kΩ (C) 4 kΩ (D) 2 kΩ

49.反相輸入型施密特(Schmitt)觸發器如【圖 49】所示，R₁ = 1kΩ，R₂  = 9kΩ ，輸出的飽和電壓 V_sat 約 為±10 V，此遲滯(hysteresis)電壓 V_H 為何？(A) 2 V (B) 3 V (C) 4 V (D) 5 V

50.考畢子振盪器(Colpitts oscillator)如【圖 50】所示，電路的振盪頻率 fo 為何？(A) (B)(C) (D)