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114年 - 11500 儀表電子 乙級 工作項目 03：零組件知識 1-49（2025/11/04 更新）#133293

科目：技檢◆儀表電子-乙級 | 年份：114年 | 選擇題數：49 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆儀表電子-乙級

選擇題 (49)

1. 下列何者不是 74 系列 TTL IC 的電源電壓之容許值？ (A)4.6V (B)4.8V (C)5.1V (D)5.2V 。
2. 線性可變差動變壓器（LVDT）有幾組線圈？ (A)一組 (B)二組 (C)三組 (D)四組 。
3. 下列對肖特基能障（Schottky barrier）二極體的說明，何者為不正確？(A)順向壓降很小 (B)逆向恢復時間很短 (C)逆向崩潰電壓很高 (D)用於低電壓整流電路 。
4. 電晶體的編號為 2SC1384 時，其中 C 代表意義為何？ (A)NPN 低頻用 (B)NPN 高頻用 (C)PNP 低頻用 (D)PNP 高頻用 。
5. 編號為 7805 與 7905 IC 之輸出電壓各為何？ (A)＋3V、＋18V (B)＋5V、－5V (C)－5V、＋5V (D)－3V、－18V 。
6. 數位積體電路元件之電源接腳旁經常有一顆 0.1μF 電容器，其作用為何？ (A)整流 (B)交連 (C)耦合 (D)消除雜訊 。
7. 硒化鎘（CdSe）與硫化鎘（CdS）兩者之響應時間關係，下列何者為正確？ (A)CdSe 較快 (B)CdS 較快 (C)兩者相等 (D)依光的波長而異 。
8. 光電晶體與光電二極體何者對光的反應速度較快？ (A)光電晶體 (B)光電二極體 (C)兩者相等 (D)無法比較 。
9. 下列何者為光電晶體與 CdS 的反應時間？ (A)光電晶體為 ms 級、CdS 為μs 級 (B)光電晶體為μs 級、CdS 為 ms 級 (C)兩者均為 ms 級 (D)兩者均為μs 級 。
10. 下列何者不是發光輸出的元件？ (A)發光二極體 (B)燈泡 (C)液晶顯示器 (D)陰極射線管 。
11. 下列何者為二次電池？ (A)水銀電池 (B)鋰電池 (C)鹼性乾電池 (D)鎳鎘電池 。
12. 下列元件何者具有負電阻區之特性？ (A)變容二極體（Varactor） (B)光二極體 (C)透納（Tunnel）二極體 (D)齊納（Zener）二極體 。
13. 矽電晶體之 VCE (sat)值約為下列何者？ (A)0.2V (B)0.6V (C)0.8V (D)2.0V 。
14. 矽電晶體之 VBE (sat)值約為下列何者？ (A)1.2V (B)0.8V (C)0.5V (D)0.3V 。
15. 某一電晶體之α值為 0.96，則其β值應為下列何者？ (A)24 (B)36 (C)48 (D)60 。
16. 某一電晶體之β值為 49，則其α值應為下列何者？ (A)0.92 (B)0.94 (C)0.96(D)0.98 。
17. 電晶體之 ICEO與 ICBO的關係，下列何者為正確？ (A)ICEO=(β-1)ICBO(B)ICEO= (β+1)ICBO(C)ICEO=(α+1)ICBO(D)ICEO=(α-1)ICBO。
18. 下列對任一電晶體之崩潰電壓(BV)的敘述何者為正確？ (A)BVEBO＞BVCBO(B)BVEBO＞BVCEO(C)BVCEO＞BVCBO(D)BVCBO＞BVCEO。
19. 下列對電晶體的敘述何者為正確？ (A)集射極電壓愈大，則基極有效寬度愈大 (B)集射極電壓愈大，則集基極逆向偏壓愈小 (C)集射極電壓愈大，則基射極順向偏壓愈小 (D)集射極電壓愈大，則集基極接面的空乏區寬度愈大 。
20. 電晶體之β值會隨溫度的上升而有下列何種變化？ (A)下降 (B)上升 (C)不變(D)視工作點而定 。
21. 下列敘述何者為正確？ (A)FET 為電流控制元件 (B)FET 為雙載子元件 (C)BJT 為雙載子元件 (D)BJT 為電壓控制元件 。
22. 下列敘述何者為正確？ (A)FET 的熱穩定性較 BJT 差 (B)FET 的輸入阻抗較BJT 小 (C)FET 的雜訊免疫力較 BJT 高 (D)FET 的操作速率較 BJT 快 。
23. 下列何者可作為自動頻率控制用的元件？ (A)齊納(Zener)二極體 (B)透納(Tunnel)二極體 (C)肖特基(Schottky)二極體 (D)變容二極體(Varactor) 。
24. 有一個 470Ω 0.5W 5％誤差的電阻器，其色碼應為下列何者？ (A)綠灰棕金 (B)黃紫黑金 (C)黃紫棕金 (D)黃紫棕綠 。
25. A 類可變電阻旋轉角度與阻值變化的關係為下列何者？ (A)對數關係 (B)直線關係 (C)反對數關係 (D)平方關係 。
26. 有一個電容器標示 104K，則此電容器之電容量為下列哪一個？ (A)104pF(B)0.1nF (C)0.1μF (D)104μF 。
27. 塑膠膜電容器在誤差的標示上，使用下列哪一個英文字母代表 5％的誤差？ (A)J (B)K (C)M (D)V 。
28. 下列哪一種電容器具有極性，使用時須注意正負端？ (A)雲母電容器 (B)陶瓷電容器 (C)鉭質電容器 (D)塑膠膜電容器 。
29. 下列哪一種電容器作為交連電容時應注意前後兩級的直流偏壓？ (A)塑膠膜電容器 (B)電解電容器 (C)雲母電容器 (D)陶瓷電容器 。
30. 下列哪一個不是商用電阻常用的阻值？ (A)39 歐姆 (B)42 歐姆 (C)47 歐姆 (D)51 歐姆 。
31. 流過 0.1A 電流的 5.1K 歐姆電阻器，應使用下列何者？ (A)碳膜電阻 (B)金屬膜電阻 (C)繞線電阻 (D)氧化金屬膜電阻 。
32. TTL 74LS47 適合驅動下列何者？ (A)共陽極七段顯示器 (B)共陰極七段顯示器 (C)單色 LCD (D)彩色 LCD 。
33. 次級線圈為 0 到 32V 的變壓器搭配橋式整流電路，其濾波電容耐壓最少為下列何者？ (A)16V (B)25V (C)40V (D)50V 。
34. 標示為 28V 的稽納二極體，其內部崩潰機制為下列何者？ (A)累增崩潰 (B)稽納崩潰 (C)隧道效應 (D)熱跑脫效應 。
35. 在室溫附近的矽二極體，溫度上升 20℃，反向飽和電流變為原來的幾倍？ (A)0.25 (B)0.5 (C)2 (D)4 。
36. 肖特基電晶體是將肖特基二極體置於下列何種接面？ (A)JFET 的 GS 間 (B)JFET 的 GD 間 (C)BJT 的 BC 間 (D)BJT 的 BE 間 。
37. 雙載子接面電晶體為使其操作在飽和區，則其 BE 與 BC 接面應作下列何種偏壓方式？ (A)順偏，反偏 (B)順偏，順偏 (C)反偏，反偏 (D)反偏，順偏 。
38. 使用未飽和狀態差動放大器作為輸入電路的邏輯 IC 是下列何者？ (A)RTL(B)TTL (C)CMOS (D)ECL 。
39. 適合作為整流電路輸出端的濾波電容器為下列何者？ (A)塑膠膜電容器 (B)電解電容器 (C)雲母電容器 (D)陶瓷電容器 。
40. 整流電路負載不變的情況下，加大輸出電容可以使漣波減小，但應該注意二極體的何種規格？ (A)最大反相峰值電壓 (B)最大反相飽和電流 (C)最大順向峰值電流 (D)最大順向峰值電壓 。
41. 下列何者不具有 PN 接面？ (A)肖特基二極體 (B)肖特基電晶體 (C)變容二極體 (D)光電晶體 。
複選題
42. 下列哪些電阻數值，屬於一般常用商用電阻之阻值？ (A)22kΩ (B)39kΩ (C)43kΩ (D)59kΩ 。
複選題
43. 下列的電源供應電壓值中，哪些是屬於 SN74 系列 TTL IC 的電壓容許值？ (A)4.5V (B)4.8V (C)5.1V (D)5.3V 。
複選題
44. 對於稽納(Zener)二極體偏壓 Vz的描述，下列哪些正確？ (A)工作在逆向區(B)Vz＜6V 時稱為稽納崩潰 (C)Vz＞6V 時稱為累增崩潰 (D)Vz＞6V 時呈現負溫度係數 。
複選題
45. 下列的溫度值，哪些是屬於 74 系列的 TTL IC 溫度使用範圍值？ (A)-55℃(B)-25℃ (C)+25℃ (D)+55℃ 。
複選題
46. 下列穩壓 IC 編號中，何者屬於正電壓系列？ (A)7805 (B)7812 (C)7905 (D)7912 。
複選題
47. 下列對於 CMOS 的特性描述，何者為正確？ (A)是目前邏輯族中最省電 (B)消耗功率高 (C)交換速度比 TTL 快 (D)通常適合製成 VLSI 。
複選題
48. 下列常用的 TTL IC 中，何種編號具有 BCD 轉碼 7 段顯示器功能？ (A)7412 (B)7442 (C)7447 (D)7448 。
複選題
49. 理想運算放大器之基本特性有哪些？ (A)開環路增益∞ (B)輸入阻抗∞ (C)共模互斥比為 0 (D)輸出阻抗為 0 。

申論題 (0)