10. 如圖(七)所示電路，試問 Q_1 與 Q_2 所構成之放大器的組態分別為何？ (A) Q_1：共射極 Q_2：共集極 (B) Q_1：共集極 Q_2：共基極 (C) Q_1：共基極 Q_2：共射極 (D) Q_1：共射極 Q_2：共基極

13. 如圖(九)所示電路，假設 PMOS 與 NMOS 場效電晶體之臨界電壓(threshold voltage) $|V_{tp}|=|V_{tn}|=1\text{ V}$，$\mu_n C_{ox}(W/L)_n=20\text{ \textmu A/V}^2$，$\mu_p C_{ox}(W/L)_p=10\text{ \textmu A/V}^2$，當 $V_I=2\text{ V}$，在不考慮通道長度調變效應(channel-length modulation)下，試問 PMOS 與 NMOS 電晶體各工作在什麼區域？ (A) PMOS：飽和區 NMOS：飽和區 (B) PMOS：三極體區 NMOS：三極體區(triode region) (C) PMOS：飽和區 NMOS：三極體區 (D) PMOS：三極體區 NMOS：飽和區