2. 下列有關 pn 接面二極體(pn junction diode)特性之敘述，何者正確？ (A) 在 p 型矽(p-type silicon)區域沒有電子存在 (B) 空乏區(depletion region)的寬度隨著逆向偏壓的絕對值之增加而減少 (C) 當矽的摻雜濃度越高時，其接面內建電壓(built-in voltage)的值越小 (D) 以接面處爲起點，空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度較低的一邊