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國營事業◆1.電路學 2.電子學
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112年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#116960
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23. 假設一拉氏函數為
,請利用反拉氏轉換求出 f(t) 為何?
(A)
(B)
(C)
(D)
答案:
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統計:
A(13), B(4), C(5), D(66), E(0) #3160052
詳解 (共 1 筆)
MoAI - 您的AI助手
B2 · 2025/11/05
#7026778
1. 題目解析 此題要求我們使用反拉氏轉...
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私人筆記 (共 1 筆)
邵恆
2024/08/18
私人筆記#6335523
未解鎖
國營事業◆1.電路學 2.電子學 -...
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相關試題
24. 如右圖所示之電路圖,下列何者為該電路之轉移函數 ?(A)(B) (C) (D)
#3160053
25. 如右圖所示之雙埠電路圖,下列何者為該電路之 z 參數值?(A) z11 = 5 Ω、z21 = 7.5 Ω、z22 = 10 Ω、z12 = 10 Ω (B) z11 = 10 Ω、z21 = 10 Ω、z22 = 12.5 Ω、z12 = 15 Ω (C) z11 = 10 Ω、z21 = 7.5 Ω、z22 = 9.375 Ω、z12 = 7.5 Ω (D) z11 = 5 Ω、z21 = 12.5 Ω、z22 = 9.375 Ω、z12 = 7.5 Ω
#3160054
26. 霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中,主要用來決定下列何者? (A)半導體內電流 (B)半導體型式(n或p) (C)半導體內磁場 (D)半導體溫度
#3160055
27. 有一理想矽質 PN 接面的二極體,在溫度為 18 °C時(VT = 25 mV),其逆向偏壓的飽和電流為 IS = 2 ✖10-14 A 且 n = 1,請問在順向偏壓 +0.6 V時的電流值為何? (A) 0.53 mA (B) 1.06 mA (C) 1.44 mA (D) 2.88 mA
#3160056
28. 有關 PN 接面的二極體,下列敘述何者有誤? (A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高 (B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄 (C)溫度上升時,障壁電壓上升 (D)溫度上升時,漏電流上升
#3160057
29. 如右圖所示之二極體電路圖,若各二極體均為理想二 極體,下列敘述何者有誤?(A)當VI = 0 V時,VA = 4 V,VO = 4 V (B)當VI = 6 V時,VA = 6 V,VO = 6 V (C)當VI = 8 V時,VA = 8 V,VO = 8 V (D)當VI = 12 V時,VA = 12 V,VO = 12 V
#3160058
30. 一般 BJT 電晶體作為線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(Operation Point)落在 下列何種區域,可獲得較佳之放大倍率? (A)作用區(Active Region) (B)反向作用區(Reversed Active Region) (C)截止區(Cut-off Region) (D)飽和區(Saturation Region)
#3160059
31. 如右圖所示之 BJT 電晶體分壓器偏壓電路圖,若電晶體 βDC = 80, VBE = 0.7 V,請問 VC 為何?(A) 2 V (B) 4.3 V (C) 5 V (D) 8.6 V
#3160060
32. 有關 BJT 與 FET 之比較,下列敘述何者正確? (A) BJT 製作面積比 FET 小 (B)一般來說,FET 作為放大器的雜訊較大 (C) BJT 是雙載子元件,FET 是單載子元件 (D) FET 不會發生爾利效應(Early Effect)
#3160061
33. 有一 BJT 在環境溫度為 25 ℃時,具最大散熱功率 PDO 為 2 W,最大接面溫度為 150 ℃,請問 當環境溫度上升至 50 ℃時,可安全散熱之最大功率為何? (A) 1.2 W (B) 1.6 W (C) 2 W (D) 2.4 W
#3160062
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