107年 - 107 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機、儀電：1.電路學 2.電子學#92331

科目：國營事業◆1.電路學 2.電子學 | 年份：107年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：國營事業◆1.電路學 2.電子學

選擇題 (50)

1. 有一台抽水機，其速率 600 公升/秒，將水由地下 10 公尺抽至高 20 公尺之水塔上，則抽水機之功率為何？(A)236 仟瓦 (B) 216 仟瓦 (C) 177 仟瓦 (D) 168 仟瓦

2. 額定為 100 W及100 V 之燈泡 2 只，串接於 100 V 之電壓，則每只燈泡消耗功率為何？ (A) 25 W (B) 50 W (C) 100 W (D) 200 W

3. 右圖電路中之各電阻器均為 1Ω，則 R_ab等於下列何者？

(A) ( 1 − ) Ω (B) ( 1 + ) Ω (C) ( 2 + ) Ω (D) ( 2 + ) Ω

4. 依右圖所示電路，下列敘述何者正確？

(A) VAC = 6 V (B) VAB = 6 V (C) I=2.5 A (D) VAC = 1.25 V

5. 求右圖電路中伏特計的讀值為何？

(A) 13.4 V (B) 13 V (C) 12.4 V (D) 12 V

6. 有一落後功率因數 0.7 的負載，並從 100 V 的有效值電壓源吸收 350 W 的平均功率。如果改善電路的功率因數為 1 時，試求改善後可節省多少安培之有效值的電流？ (A) 5 A (B) 3.5 A (C) 2 A (D) 1.5 A

7. 依右圖所示電路，當 S 閉合後，經 t = 3 × 10⁻³ 秒後，電感器的端電壓uL為何？

(A) 1.2 V (B) 2.4 V(C)2.8 V (D) 3.6 V

8. 60 μF 之電容器，帶有 10 庫倫之電荷，其儲存之電能為多少？ (A) 8.3 焦耳 (B) 8.3 × 10²焦耳 (C) 0.83 × 10⁵焦耳 (D) 0.83 × 10⁶焦耳

9. 電爐之電阻為100 Ω，若通過之電流為 1.5 安培，使用 3 分鐘，將產生多少焦耳之電能，合計多少卡？ (A) 9405 卡 (B) 9470 卡 (C) 9530 卡 (D) 9720 卡

10. 若一發電機的旋轉角速度為 314 弳/秒，於 t = 0.005 秒時之旋轉角度為下列何者？ (A) 30 度 (B) 60 度 (C) 90 度 (D) 180 度

11. 有一 R-L串聯之電路接於交流電壓ℯ(t) = 10sin(100t − 20°)，而線電流i(t)=2sin(100t-80°)安培，則此電路之純電阻值為下列何者？(A) 2.5Ω (B) 4Ω (C) 5Ω (D) 8Ω

12. 流過電阻 R = 10 Ω 之電流為i(t) = 2 + 3sinωt + 2 sin(3ωt)，若 ω = 377 弳/秒，則平均功率為下列何者？ (A) 105 W (B) 100 W (C) 90 W (D) 75 W

13. 右圖所示之 3ψ3 W 60 Hz 之電路，阻抗，經測得受電端之電壓，負載消耗功率 200 kW，功率因數為 0.8，則此送電端之電壓為多少？

(A) 2250 V (B) 2850 V (C) 3250 V (D) 3450 V

14. 有一平衡 Y-Y 系統，其線電壓之有效值為 200 V，三相電功率為 600 W，功率因數為0.9滯後，請問各相負載阻抗為多少？ (A)15 + j8.67 Ω (B)54 + j26.2 Ω (C)15 − j8.67 Ω (D)54 − j26.2 Ω

15. 於 L-C 串聯電路中，若 L = 2.653 H，且與 C 串聯接於 60 Hz 之電源，今欲改變電容量使達到共振，請問電容器 C 之值應調整為下列何者？ (A) 1.625μF (B) 2.358μF (C) 2.653μF (D) 3.25μF

16. 設 F(s) = ，求f(t) 為下列何者？ (A) 1 − cos t (B) t − (C)e^t(D)e^4t− 1

17. 右圖所示週期為 2a 之方形波，求其拉氏轉換式為下列何者？

(A) (B) (C) (D)

18. 右圖所示為一雙埠網路，求 Y 參數陣列為下列何者？

(A) (B) (C) (D)

19. 有一10 安培之電流，流經 100 匝之圓線圈，其半徑為50公分，且線圈之厚度要遠小於半徑，請問圓心處之磁場強度為何？ (A)250 安匝/公尺 (B)500 安匝/公尺 (C)750 安匝/公尺 (D)1000 安匝/公尺

20. 以一只 12 伏特，40 安培小時的蓄電池，供應一只 1.2 瓦特的燈泡，最多可維持多少小時？ (A) 480 小時 (B) 400 小時 (C) 40 小時 (D) 10 小時

21. 三相 Y 型平衡電路，若每相阻抗為(6 + j8) Ω，線電壓E_l= 220V，試求相位角 θ 為多少？ (A) 26.6 度 (B) 37.1 度 (C) 53.1 度 (D) 63.4 度

22. 某交流電路 e= 100sin(314t − 30°)，i = 50 sin(314t + 30°)，其最大瞬時功率 P_max為何？ (A) 7500 W (B) 4500 W (C) 3750 W (D) 2500 W

23.i₁ = 10sinωt， i₂= 10cosωt，則(i₁ +i₂ )比i₁ 引前多少度？(A)30 度 (B)45 度 (C)60 度 (D)90 度

24. 有一內阻為 1 Ω 的安培表，欲將其測量範圍擴大100倍，須加多大電阻值之分流器？ (A) 0.11 Ω (B) 0.02 Ω (C) 0.01 Ω (D) 0.001 Ω

25. 某發射機的載波頻率為 3000 kHz ，求其波長為多少？ (A) 10 公尺 (B) 50 公尺 (C) 100 公尺 (D) 200 公尺

26. 有關功率放大器輸出級分成 A 類、 B 類、AB 類與 C 類的敘述，下列何者有誤？ (A) A 類放大器的工作操作點定於負載線中點 (B) B 類放大器的工作操作點定於飽和區 (C) AB 類放大器的工作操作點介於 A 類及 B 類放大器之間 (D) C 類放大器的工作操作點定於截止區之下

27. 若電晶體輸出電流 I_CQ = 0.99 mA，α = 0.99 及 V_T = 25 mV ，求電晶體交流等效電阻 r_e為何？ (A) 50 Ω (B) 25 Ω (C) 30 Ω (D) 15 Ω

28. 有一雙極性接面電晶體 BJT ，其 β = 100，已知在室溫下熱電壓 V_T = 25 mV，若 I_C = 1 mA，則該 BJT 之轉導 g_m值為何？ (A) 4 mA/V (B) 40 mA/V (C) 400 mA/V (D) 4 A/V

29. 有關場效電晶體 FET 放大器的敘述，下列何者有誤？ (A)共源極放大器的輸入與輸出電壓反相 (B)共源極放大器的輸入阻抗值很高 (C)共汲極放大器的電壓增益值小於 1 (D)共閘極放大器的輸入阻抗值很高

30. 設計電晶體差動放大器時，射極共同點接一穩定電流源之主要目的為何？ (A)增加負回授量 (B)提高 CMRR (C)增加頻寬 (D)提高增益

31. 設有一電路的轉移函數 T(S) = ，求下列敘述何者正確？ (A)半功率頻率為100 rad/sec (B)增益為100dB的頻率為1rad/sec (C)直流增益為40 dB(D)高頻增益為100

32. 在雙極性接面電晶體 BJT 共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 C_C進入基極，該電容C_C之主要功能為何？ (A)使電壓增益變大 (B)使電流增益變大 (C)隔離雜訊 (D)隔離直流

33. 有關雙極性接面電晶體 BJT 與場效電晶體 FET 的一般特性比較，下列何者有誤？ (A)輸出電阻 r_o：BJT 較 FET 小 (B) 轉導 g_m：BJT 較 FET 大 (C)本質增益 A_o：BJT 較 FET大 (D) 輸入阻抗 R_i ：BJT 較 FET 小

34. 非反向運算放大器電路具有增益 40 dB ，其 3 dB 頻率為 25 kHz ，將其應用在某特殊系統中，若此系統需要 50 kHz 的頻寬，在此情況下能夠達到的最大增益為何？ (A) 10 V/V (B) 20 V/V (C) 50 V/V (D) 100 V/V

35. 射極隨耦器常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述，下列何者正確？ (A)高輸入阻抗，高輸出阻抗 (B)高輸入阻抗，低輸出阻抗 (C)低輸入阻抗，高輸出阻抗 (D)低輸入阻抗，低輸出阻抗

36. 已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高 10 ℃ 約成為原來之兩倍，在溫度 25 ℃ 時的逆向飽和電流為 3 nA ，當逆向飽和電流增加到 24 nA ，溫度約升到幾度？ (A) 35 ℃ (B) 45 ℃ (C) 55 ℃ (D) 65 ℃

37. 有關共射極放大器的特性敘述，下列何者正確？ (A)電流增益為 α ，輸出與輸入電壓相位差 180∘ (B)電流增益為 α ，輸出與輸入電壓相位差 0∘ (C)電流增益為 β ，輸出與輸入電壓相位差 180∘ (D)電流增益為 β ，輸出與輸入電壓相位差 0∘

38. 有一差動放大器，其一端輸入 V_i1 = 100 µV ，另一端輸入 V_i2 = 50 µV ，且此放大器之差模增益 A_d為 100，而共模拒斥比CMRR為 10，請問此輸出電壓為何？ (A)2.75 mV (B)3.75 mV (C)4.75 mV (D)5.75 mV

39. 有一接合面場效應電晶體 JFET 的汲極飽和電流 I_DSS = 16 mA，夾止電壓 V_GS(off) = -4 V，請問此 JFET 為何種通道？另，當 V_GS= -3 V 時的汲極電流 I_D為何？ (A) N通道，I_D = 1 mA(B) N通道，I_D = 4 mA (C) P通道，I_D= 1 mA (D) P通道，I_D= 4 mA

40. 有關振盪器的敘述，下列何者有誤？ (A)低頻振盪器一般採用 RC 電路 (B)射頻振盪器一般採用 LC 電路 (C)石英振盪器是利用晶體本身之壓電效應 (D)一般 RC 相移振盪器所產生的輸出波形為方波

41. 假設右圖之二極體為一理想元件，試求二極體電流 I_D之值約為何？

(A) 0.83 mA (B) 1.0 mA (C) 1.87 mA (D) 2.5 mA

42. 如右圖所示之電晶體偏壓電路，已知 C₁ = 20 µF，C₂ = 20 µF，C₃ = 60 µF，R₁ = 20 kΩ，R₂ = 5 kΩ，R₃ = 5 kΩ，R₄ = 1 kΩ，β = 100，IC電流值約為何？

(A) 0.84 mA (B) 1.24 mA (C) 2.14 mA (D) 3.34 mA

43. 一電晶體電路如右圖所示，假設各電晶體的 β = 50， V_BE = 0.7 V，C₁，C₂，C₃，C₄有很大的電容值，請問此電路的電壓增益為何？

(A) -11 (B) -21 (C) -32 (D) -53

44. 右圖所示為一差動放大器，假設 Q₁與 Q₂為完全匹配的電晶體且均工作在作用區，請問下列何者有誤？

(A)當 R_EE的值變大時，CMRR 值增大 (B)當 I_EE的值變大時，差模增益值 |A_DM| 增大 (C) RC的值越大則差模增益值 |A_DM| 越大 (D) RC的值越大則共模增益值 A_CM越小

45. 右圖的電路包含 5 個完全相同的電晶體，各電晶體的臨限電壓 V_t= 1 V，假設可忽略基體效應與通道長度調變效應，試求輸出電壓 V_o為何？

(A) 1 V (B) 2 V (C) 3 V (D) 4 V

46. 如右圖所示之理想運算放大器電路 V_in1 = 1 V，V_in2 = 0.5 V ，V_in3= 2 V，R₁= 4 kΩ，R₂ = 5 kΩ，R₃= 10 kΩ，R_f= 20 kΩ，試求總輸出電壓 V_out約為何？

(A) -3 V (B) -6 V (C) -8 V (D) -11 V

47. 右圖為全波濾波器，若輸入V_i=10sinωt，試求直流電壓值(V_o之 d_c值)為何？

(A) 6.36 V (B) 10 V (C) 13.2 V (D) 15 V

48. 右圖中有兩個理想運算放大器串級，其輸入補償電壓 V_os1 = V_os2= 8 mV，若輸入 V_in = 0.01 V 時，試求 V_o之值約為何？

(A) 7.63 V (B) 5.79 V (C) 4.15 V (D) 3.48 V

49. 霍爾效應(Hall effect)最主要是用於下列何者？ (A)決定半導體為 P 型或 N 型 (B)決定半導體內的電壓大小 (C)決定半導體內的電流大小 (D)決定半導體內的磁場大小

50. 有一放大器僅含兩個極點且無零點，高頻極點 f_P2為低頻極點 f_P1的100倍，此放大器於 f_P2的增益大小為 1，請問此放大器的相位邊限為何？ (A)90 度(B)60 度(C)45 度(D)0 度

申論題 (0)