25. 下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？
(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
(C)矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體
(D)微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成

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統計： A(235), B(2162), C(458), D(202), E(0) #2577675

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#4707107
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#5770716
(A)濕式蝕刻容易導致過切，且電路線條精...
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私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#7532626
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私人筆記#3003866
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(A) 乾式蝕刻比濕式蝕刻‘’不‘’容易...
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