33. 下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？
(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
(C)矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體
(D)微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成

答案：登入後查看
統計： A(11), B(156), C(30), D(9), E(0) #2579243

詳解 (共 1 筆)

#4815057
濕式容易過切矽是絕緣體微影需要紫外線曝光...
(共 25 字，隱藏中）
前往觀看
1
0

私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#7532628
未解鎖
下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確...
(共 189 字，隱藏中）
前往觀看
1
0
私人筆記#5012877
未解鎖
濕式蝕刻會過切 矽是加鋁(Al)、鎵(G...
(共 50 字，隱藏中）
前往觀看
1
0