27. 下列對於場效電晶體(FET)的敘述與應用，何者錯誤？ (A)場效電晶體可以做成接面場效電晶體(JFET) (B)場效電晶體可以做成金屬氧化半場效電晶體(MOSFET) (C)FET做開關使用時，偏移電壓較BJT嚴重。 (D)可做為一種信號放大元件。