27. 依據 VSEPR 理論，在 AsF4 –中 F–As–F 實際鍵角之表示，下列何者正確？ (A) ＜ 90° 和＜ 120° (B) 109.5° (C) 90° 和 120° (D) 180°。

27. 依據 VSEPR 理論，在 AsF₄ ^–中 F–As–F 實際鍵角之表示，下列何者正確？
(A) ＜ 90° 和＜ 120°
(B) 109.5°
(C) 90° 和 120°
(D) 180°。

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統計： A(3), B(1), C(1), D(0), E(0) #3268747

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B1 · 2025/10/19

#6926023

1. 題目解析本題涉及到 VSEPR ...

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4. 已知坊間所賣的光觸媒，其主要成分是奈米級的二氧化鈦，而其吸收光之波長至少需低於 400nm。吸收光能後的二氧化鈦具有相當強之氧化力，可以直接將吸附在物質表面之汙染物直接氧化，使其分解，或者將吸附於物質表面之水分子氧化為氫氧自由基(H2O→·OH +H＋＋e － ) 進而分解汙染物。試問下列敘述，何者正確？ (A) ·OH 為強氧化劑可以分解汙染物 (B) 奈米級的顆粒大小，是比原子更小(C) 光觸媒在黑暗中，仍有消毒效果 (D) 氫氧自由基中的氧原子之電子恰好是八隅體組態。

27. 依據 VSEPR 理論，在 AsF₄ ^–中 F–As–F 實際鍵角之表示，下列何者正確？
(A) ＜ 90° 和＜ 120°
(B) 109.5°
(C) 90° 和 120°
(D) 180°。

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27. 依據 VSEPR 理論，在 AsF4 –中 F–As–F 實際鍵角之表示，下列何者正確？ (A) ＜ 90° 和 ＜ 120° (B) 109.5° (C) 90° 和 120° (D) 180°。

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(A) ＜ 90° 和＜ 120°
(B) 109.5°
(C) 90° 和 120°
(D) 180°。