30.如【圖 30】的金氧半場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tranisitor,簡稱 MOSFET),若要操作在 飽和區,則下列何者的偏壓方式可以達到 ?
(A)VGS< 0,VDS< 0
(B)VGS> 0,VDS> 0
(C)VGS< 0,VDS> 0
(D) VGS> 0,VDS< 0
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統計: A(114), B(38), C(36), D(25), E(0) #1868591
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