31.下列場效電晶體 FET 優於接面電晶體 BJT 之敘述，何者錯誤？
(A)高輸入阻抗
(B)低雜訊高頻寬
(C)熱穩定度佳
(D)無抵補電壓

答案：登入後查看
統計： A(9), B(97), C(14), D(47), E(0) #1535857

詳解 (共 1 筆)

#2464820
低雜訊高頻寬 
(共 9 字，隱藏中）
前往觀看
13
0