32. 在一N 通道增強型MOSFET 共源極放大電路中，如果所用的電晶體臨界電壓 VT = 2 伏特(V)，導電參數 K=1mA/V 2，下列敘述何者正確？ (A) 若是 VGS<2V，則此電晶體將工作於歐姆區(三極體區)，此時沒有通道可以導通電流 (B) 此電晶體的汲極電流(ID )是以電洞作為主要載子，並由閘源間電壓(VGS )控制此電流大小 (C) 在MOSFET放大器實驗中，閘極電流(IG )大於汲極電流(ID )是正常現象 (D) 此放大電路工作在飽和區時，汲極電流可由閘源間電壓(VGS )控制。當 VGS等於3伏特時，汲極電流(ID )為 1 毫安培(mA)