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國營事業◆1.計算機概論 2.電子學
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105年 - 105 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(乙):2.電子學#71776
> 試題詳解
34. 對一MOSFET 以一固定的vGS 電壓操作在飽和區,在v
DS
= 4 V時, id=2 mA,且v
DS
=8 V 時,i
d
= 2.1 mA,請問其爾利電壓(Early Voltage)|V
A
|為多少?
(A) 70 V
(B) 76 V
(C) 80 V
(D) 86 V
答案:
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統計:
A(2), B(23), C(6), D(3), E(0) #1537231
詳解 (共 1 筆)
KIWI
B2 · 2021/11/01
#5186022
ID=KVOV2(1+VDS/VA) ...
(共 71 字,隱藏中)
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35. 對一增強型的 PMOS 電晶體,其,爾利電壓(Early Voltage) |VA | =50 V,將閘極(G)端接地,源極(S)端接 5V,當汲極端電壓 vD= +4 V時, 求其汲極電流值 為多少? (A) 0.14 mA (B) 0.27 mA (C) 0.40 mA (D) 0.59 mA
#1537232
36. 在積體電路中,NMOS的基體端應如何接? (A)接至電流源 (B)接至汲極(Drain) (C)接至源極(Source) (D)接至最低電壓
#1537233
37. 使一個npn 型電晶體操作在vBE =670 mV, IC= 2 mA,其iC對vCE的特性有一斜率為2 x10-5U ,當電晶體操作在IC= 10 mA時,其輸出阻抗值為多少? (A) 40 kΩ (B) 30 kΩ (C) 20 kΩ (D) 10 kΩ
#1537234
38. 對一 BJT 電晶體操作在IB= 5 mA時,在IC=10 mA下,其對應的VCEsat= 140 mV,且 IC= 20 mA時,其對應的VCEsat= 180 mV,求其飽和區的RCEsat 電阻值為多少? (A) 2 Ω (B) 3 Ω (C) 4 Ω (D) 5 Ω
#1537235
39. 如右圖之電路,已知此CMOS反向器電路的V 0.8 V,V -0.8 V VDD =5V 且K K ,假設vO1 0.5 V時,請問vI的電壓值為多少? (A) 1.55 V (B) 2.06 V I O2 (C) 2.86 V N1 N2 (D) 3.75 V
#1537236
40. 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益Ao= 100 dB,當頻率f =104 Hz時,其開路增益的 大小為40 dB,請問此放大器之單位增益頻寬(unit gain bandwidth)值約為多少? (A) 104 Hz (B) 105 Hz (C) 106 Hz (D) 107 Hz
#1537237
41. 如右圖的一組並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路,電 VDD 晶體參數g g 6 mA⁄V,忽略爾利效應(Early Effect) 及基體效應(Body Effect),電阻RS= RD=10 k Ω及RF =90 k Ω ,求電流放大倍數為多少? (A) -6.9 (B) -9.9 IS (C) -12.9 (D) -15.9 F RS
#1537238
42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT,下列敘述何者正確? (A)降低基體(Substrate)的濃度(NA) (B)降低源極(Source)區域的濃度(ND) (C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND) (D)降低閘極(Gate)區域的 :矽氧化層的permittivity; :矽氧化層厚度)
#1537239
43. 對一npn型的BJT所組成的共基極(Common Base)放大器,下列敘述何者有誤? (A)輸入阻抗Ri= re (很小) (B)高頻響應比共射極(Common Emitter)放大器差 (C)電流增益(D)電壓增益變化的影響小
#1537240
44. 對一PN二極體施加逆向偏壓,有關逆向飽和電流IS的敘述何者有誤? (A)逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流IS (約10 -15A) (B) IS由少數載子數量控制 (C)溫度越高,IS會上升 (D) Junction面積增加會使IS下降 .
#1537241
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