42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT，下列敘述何者正確？
(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)
(B)降低源極(Source)區域的濃度(ND)
(C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)
(D)降低閘極(Gate)區域的phptjTc4l.png ：矽氧化層的phplGaB4a.png矽氧化層厚度)

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統計： A(93), B(24), C(17), D(47), E(0) #1539326

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私人筆記#7510315
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VT (Threshold Volt...
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