53 增強型金氧半場效型電晶體（MOSFET）偏壓電路如【圖 53】，已知電晶體的參數 K=0.5 2 mA /V2 ，臨界電壓（threshold viltage）Vt=2V、VDS=4V，則此 RD 為：
(A)1kΩ
(B)2kΩ
(C)3kΩ
(D)4kΩ5d930eaa8b352.jpg

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統計： A(3), B(10), C(7), D(59), E(0) #2079155