55. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述，下列何者有誤?
(A) FET 是單極性裝置
(B) FET 具有高電流驅動能力
(C) FET 可作為對稱性的雙向開關
(D) FET 較無雜訊產生

通常，FET的驅動電流較低，因為FET的閘極是由絕緣層隔離，因此幾乎不需要閘極電流。相反，BJT需要基極電流來控制集極電流，因此通常具有更高的電流驅動能力。