6. 如圖(三)所示的電路中， Vo 約為︰(A) 1 V (B) 1.1 V (C) 0.1 V (D) 2 V

15. 如圖(九)所示的電路，為利用射極隨耦器所組成的 A 級功率放大器，若電晶體的集極-射極飽和電壓為 0.2 V，則輸出級電路的功率轉換效率(power-conversion efficiency)可能為︰(A) 80 % (B) 60 % (C) 40 % (D) 20 %+10 V+5 Vvi1 kΩE R vo10 kΩQ2B 100 ΩCD10 kΩ圖(八) 圖(九)−5 V −10 V共 8 頁第 4 頁電子類、光電類專業科目(一)◎註：16 至 19 題(圖十〜十三)MOSFET：臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 1 V，通道長度為 10 µm，通道寬度為 100 µm， µ n C ox = 20 µA/V2， µ p C ox = 10 µA/V2，| VA | = 100 V。