90年 - 90 二技統測_電子類、光電類_專業科目(一)：電子電路(含實習)#144982

1. 對於 p-n 接面二極體(p-n junction diode)，下列敘述何者有誤？
(A) 逆向偏壓時空乏區所形成的電容值變小
(B) 順向偏壓時沒有空乏區
(C) 逆向偏壓時空乏區電場強度的最大值出現在 p 區域與 n 區域的接面㆖
(D) 順向偏壓時電流與電壓呈指數關係

2. 如圖(一)所示的電路中， v s 為 60Hz 正弦波信號，其均方根值(root-mean-square value)為
110 V，D 為理想二極體，R = 1 kΩ， C = 1000μF，下列敘述何者有誤？
(A) Vo 為一含漣波(ripple)成份的直流電壓
(B) 該漣波的振幅約為 2.6 V
(C) Vo 的最大值約為 156 V
(D) 降低電容值可減少漣波的大小

3. 如圖(二)所示的電路中， v s 為 60Hz 正弦波信號，其均方根值為 110 V，D1、D2 均為理想
二極體，C1 = C2 = 88μF，有關 Vo 的敘述，下列何者正確？
(A) 均方根值約為 110 V (B) 峰值約為 110 V
(C) 約為 −312 V 的直流電壓 (D) 約為 156 V 的直流電壓

4. 在純質矽晶片(intrinsic Si wafer)中加入磷(phosphorus)，下列敘述何者有誤？
(A) 多數載子為電洞 (B) 導電率增加
(C) 純質矽晶片成為外質(extrinsic) (D) 電子與電洞濃度乘積為定值

5. 有關 741 運算放大器的敘述，下列何者有誤？
(A) 輸入端為差動放大器組態
(B) 內部具有短路保護電路
(C) 輸出端為 AB 級功率放大器
(D) 放大級包含共基極與共射極組態的放大器


◎註：6 至 13 題(圖三〜圖八)所用電晶體 Q1 ：|VBE | = 0.7 V， β = 100，|VA | =100 V；電晶

體 Q2 ：|VBE | = 0.65 V， β = 100，|VA | = 120 V；二者飽和時 |VCE | 均為 0.2 V； VT = 26 mV。

6. 如圖(三)所示的電路中， Vo 約為︰
(A) 1 V (B) 1.1 V (C) 0.1 V (D) 2 V

7. 如圖(㆕)所示的電路中，若 VI = 3 V，則 VE 約為︰
(A) 2.1 V (B) 3.1 V (C) 1.1 V (D) 4.1 V
+10 V
+5 V

5 kΩ
Vo Q1
50 kΩ 10 kΩ
Q1 VI VE

Q2
1kΩ
1 KΩ
2 mA

圖(三) 圖(㆕)
−5 V

8. 如圖(五)所示的電路中，調整 VBE ，使得集極直流電流 I C = 1 mA，若 vbe = 0.005 sin ωt V，

總集極電位(total collector voltage) vC 為︰
(A) sin ωt V (B) 5 − 2 sin ωt V (C) 4 + 0.1 sin ωt V (D) 5 sin ωt V

9. 如圖(六)所示的電路中，直流電流 I C 約為︰
(A) 1.03 mA (B) 2.28 mA (C) 1.63 mA (D) 2.66 mA

vo

10. 承(9)題，電壓增益 Av= 約為︰
vs

(A) 30 (B) 40 (C) 60 (D) 70
+15 V
IC +15 V

10 kΩ IC 2 kΩ
vC 40 kΩ
vo
Q1 1kΩ
1 KΩ
Q1 1 KΩ
1kΩ
vbe +
− +
vs −
VBE 10kΩ
10 KΩ
11kΩ
KΩ


vd v

11. 如圖(七)所示的電路， v d 為零平均電壓的小信號，當 v I 1 = ， v I 2 = − d ，其差模增益
2 2

vo
(differential-mode gain) 的大小約為︰
vd

(A) 600 (B) 220 (C) 100 (D) 55

Ad

12. 承(11)題，其共模拒斥比(common-mode rejection ratio) 約為︰
Ac

(A) 88 (B) 123 (C) 275 (D) 300
+15 V

10 k Ω 10 k Ω

Vo

Q
Q11 Q
Q12
V I1 V I2

25 k Ω

−15 V 圖(七)

13. 如圖(八)所示的電路中，下列敘述何者有誤？
(A) Q2 處在順向主動區(forward active region) (B) VB = 3.17 V
(C) VC = 3.62 V (D) VE =3.82 V

14. 有一增強型 PMOSFET，其臨界電壓(threshold voltage)為 − 0.2 V，若直流汲極電壓 VD=2V，
直流源極電壓 VS =5 V，直流閘極電壓 VG =1.2 V，則該 PMOSFET 處於何種工作區？
(A) 線性區 (B) 飽和區 (C) 截止區 (D) 逆向工作區

15. 如圖(九)所示的電路，為利用射極隨耦器所組成的 A 級功率放大器，若電晶體的集極-射
極飽和電壓為 0.2 V，則輸出級電路的功率轉換效率(power-conversion efficiency)可能為︰
(A) 80 % (B) 60 % (C) 40 % (D) 20 %
+10 V
+5 V

vi
1 kΩ

E R vo
10 kΩ
Q2
B 100 Ω
C
D
10 kΩ

圖(八) 圖(九)
−5 V −10 V

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 電子類、光電類 專業科目(一)

◎註：16 至 19 題(圖十〜十三)MOSFET：臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 1 V，通

道長度為 10 µm，通道寬度為 100 µm， µ n C ox = 20 µA/V2， µ p C ox = 10 µA/V2，| VA | = 100 V。

16. 如圖(十)所示的電路中，直流電壓 Vo = 1 V，則 ID 約為︰
(A) 1.03 mA (B) 2.28 mA (C) 0.4 mA (D) 4.0 mA

17. 如圖(十一)所示的電路中，IREF = 100μA，小信號電壓增益(small-signal voltage gain)約為︰
(A) 120 (B) −100 (C) 60 (D) −60

18. 如圖(十二)所示的電路中，IREF1 = 100μA，IREF2 = 200μA，則小信號電壓增益約為︰
(A) 2.8×102 (B) 3.0×105 (C) 2.2×105 (D) 2.0×104

19. 如圖(十三)所示的電路，電晶體參數如第 7 題之 Q1，VBIAS 使 Q1 順向偏壓，IREF = 100μA，
則小信號電壓增益的絕對值約為︰
(A) 20000 (B) 6000 (C) 10000 (D) 8000
100 s

20. 一個放大器的轉換函數(transfer function) A(s) = ，下列敘述何者有誤？
( s + 100)(1 + s / 10 6 )
(A) 中頻增益約為 40 dB
(B) 低頻截止頻率(cut-off frequency) ωL 為 100 rad/sec
(C) 高頻截止頻率ωH 為 100 k rad/sec
(D) 頻率為 1 rad/sec 時增益約為 1

21. 負回授對於系統的影響，下列何者有誤：
(A) 信號增益敏感度提高 (B) 頻寬增加
(C) 雜訊增益降低 (D) 非線性失真程度減少
+5 V +10 V
ID
10 kΩ
Vo M3 M2
M1
vo
IREF vi M1
5 kΩ

−5 V 圖(十) 圖(十一)

IREF1 IREF

vo
M2
VBIAS Q1
vi vo
M1
IREF2 vi M1

圖(十二) 圖(十三)

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22. 如圖(十㆕)所示的電路中，MOSFET M1 及 M2 的特性完全相同，臨界電壓(threshold voltage)
的絕對值為 2 V，通道長度為 10μm，通道寬度為 100μm，μnCox = 20μA/V2，忽略通
道長度調制效應(channel-length-modulation effect)，調整 R1，使得 ID1 = 0.4 mA，則 M2 汲
極電位 VD2 為︰
(A) −5 V (B) 6V (C) 4 V (D) − 3 V

+10 V
ID1
10 kΩ R1

VD2

M2 M1

圖(十㆕)

23. 有關矽控整流器(SCR)之特點，下列何者有誤？
(A) 只能單向導通
(B) 可直接以外加電路令其截止
(C) 較大的閘極電流可降低導通所需的順向偏壓
(D) 屬於三端元件

24. 如圖(十五)所示的電路，A1、A2 與 A3 均為理想運算放大器，輸出飽和電壓為±15 V，當
V1 = −4 V 時，V2 的值為：
(A) +15 V (B) −15 V (C) +8 V (D) −8 V

25. 承(24)題，當 V1 = −4 V 時，V3 的值為：
(A) +15 V (B) −15 V (C) +8 V (D) −8 V

26. 承(24)題，若 V1 為一無直流成份的三角波，振幅為± 3 V，則 V3 的波形為：
(A) 工作週期(duty cycle) 75 %的方波 (B) 工作週期(duty cycle) 50 %的方波
(C) 工作週期(duty cycle) 25 %的方波 (D) 直流波形

27. 如圖(十六)所示的電路，其實現的輸出函數為：
(A) Y = Ay (B + C) (B) Y = A + ByC (C) Y = Ay (B + C) (D) Y = A + ByC

28. 如圖(十七)所示的電路，A 為理想運算放大器，當電路達到穩定操作狀態後，下列敘述何
者有誤？
(A) vo 的振盪頻率約為 6.33 kHz (B) 兩個二極體輪流導通
(C) vP = vN (D) vo = 3 vP

29. 承(28)題，當電路達到穩定操作狀態後，兩並聯二極體的等效電阻約為：
(A) 110.5 kΩ (B) 210.5 kΩ (C) 221 kΩ (D) 421 kΩ

30. 如圖(十八)所示的電路，A 為理想運算放大器，輸出飽和電壓為±13 V，下列何者有誤？
(A) vP 的振幅為±5 V
(B) vO 的振盪頻率不受運算放大器輸出飽和電壓的影響

(C) vN 的振幅為±5 V

(D) vP = vN

31. 承(30)題， vP 的工作週期約為：
(A) 62.5 % (B) 50 % (C) 38.5 % (D) 25 %

32. 有關 BiCMOS 的特色，下列敘述何者有誤？
(A) 低消耗功率 (B) 雜訊邊際較小
(C) 高輸入阻抗 (D) 電流驅動能力較強

33. 下列哪一種功率放大器的電晶體導通角度最小？
(A) A 級 (B) AB 級 (C) B 級 (D) C 級

34. 如圖(十九)所示的電路，A 為理想運算放大器，下列敘述何者有誤？
(A) 取樣時，S0 必須接至右邊接點
(B) 重置時所有開關均須切至左邊接點
(C) 此電路可實現 5-位元的數位/類比轉換功能
(D) S4 代表 LSB(最小位元)的狀態

35. 承(34)題，若 Vref = 32 V，S0 至 S4 的狀態為(1, 1, 0, 1, 0)，其中 1 代表切至右邊接點，0
代表切至左邊接點，則 Vo 為：
(A) 26 V (B) 22 V (C) 20 V (D) 10 V

36. 如圖(二十)所示的電路，MOSFET，M1 的通道長度為 6μm，通道寬度為 100μm；M2 的
通道長度為 30μm，通道寬度為 6μm；其他特性完全相同，臨界電壓的絕對值均為 2V，
μnCox 為 20μA/V，忽略通道長度調制效應、本體效應(body effect)、負載阻抗效應(load
resistance effect)，則電壓增益為：
(A) −9.1 (B) −8.3 (C) − 4.4 (D) − 4.0

37. 承(36)題，若本體效應參數(body effect parameter)為正值，則電壓增益的絕對值有何變化？
(A) 不變 (B) 變小 (C) 變大 (D) 變為 0

38. 某二階濾波器的轉換函數具有一對極點在−1 ± j2，傳輸零點在ω = 1 rad/sec，且直流增益
為 1，則濾波器在頻率為 2 rad/sec 時的增益為：
1 2 15
(A) (B) (C) (D) 0
17 17 17

39. 承(38)題，高頻時的增益約為：
(A) 0 (B) 1 (C) 2 (D) 5

40. 有關大功率 MOSFET 的特性，下列敘述何者有誤？
(A) 無二次崩潰現象
(B) 驅動電流較等功率級之 BJT 為小
(C) 切換速度較等功率級 BJT 為快
(D) 低電流時汲極電流具有負的溫度係數