4. 在純質矽晶片(intrinsic Si wafer)中加入磷(phosphorus)，下列敘述何者有誤？(A) 多數載子為電洞 (B) 導電率增加(C) 純質矽晶片成為外質(extrinsic) (D) 電子與電洞濃度乘積為定值

5. 有關 741 運算放大器的敘述，下列何者有誤？(A) 輸入端為差動放大器組態(B) 內部具有短路保護電路(C) 輸出端為 AB 級功率放大器(D) 放大級包含共基極與共射極組態的放大器◎註：6 至 13 題(圖三〜圖八)所用電晶體 Q1 ：|VBE | = 0.7 V， β = 100，|VA | =100 V；電晶體 Q2 ：|VBE | = 0.65 V， β = 100，|VA | = 120 V；二者飽和時 |VCE | 均為 0.2 V； VT = 26 mV。