8. 已知一積體電路使用半導體製程 90 奈米技術，其 90 奈米指 MOSFET 元件閘極的
(A)長度 L
(B)高度 H
(C)寬度 W
(D)厚度 T。

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統計： A(38), B(1), C(3), D(6), E(0) #2142338

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#4789452

已知一積體電路使用半導體製程 90 奈米技術，其 90 奈米指 MOSFET 元件閘極的長度 L

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