9. 以MOSFET組成邏輯閘之特性，以下敘述何者錯誤？
(A)以MOSFET取代BJT組成邏輯閘，可提高IC填裝之密度
(B)以MOSFET組成邏輯閘 較BJT組成的速度慢
(C)以MOSFET組成邏輯閘之扇出數與負載電容無關
(D)以 MOSFET組成邏輯閘較BJT組成的消耗功率低。

答案：登入後查看
統計： A(1), B(2), C(3), D(0), E(0) #3099846

詳解 (共 1 筆)

#7080567
1. 題目解析 這道題目要求找出關於M...
(共 980 字，隱藏中）
前往觀看
0
0