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114年 - 114 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#128768
> 申論題
題組內容
四、如圖四所示之 MOSFET 電路,若 Q1、Q2、Q3 之參數分別如下:VT1=VT2=0.8 V, VT3 =-2 V,
。試求:
(一)說明此數位電路之邏輯函數名稱。 (5 分)
相關申論題
(一)請推導出電壓增益 Av =vo/vs 與 x 的關係式。(10 分)
#549441
(二)說明如何在 10 kΩ的可變電阻旁加入一固定電阻 R,使得電路的電壓 增益 Av 的範圍在 1 至 11 之間,並計算此電阻值 R=?(15 分)
#549442
二、如圖二所示電路,vs 為輸入的交流小信號,BJT 操作在作用區(active ,若β =199,VT = 25 mV,請計算下列各項參數:(一)集極直流電位 region) VC,(二) gm,(三) rπ,(四) Rin,(五) vo/vs,其中 gm 與 r為電晶體小信號參數。 (25 分)
#549443
三、如圖三所示之回授放大電路,其中 gm1=gm2=4 mA/V,ro1=∞,ro2=20 kΩ, RD=20 kΩ,RL=1 kΩ,RF=100 Ω,請計算下列各項參數:(一)開路增益(open- Vf loop gain)A=Io/vi,(二)回授因子(feedback factor),(三)閉路增益 Io (closed-loop gain)Af,(四) Ro,(五) Rof。(25 分)
#549444
(二)當 A=5 V,B=0 V,Vo=?(10 分)
#549446
(三)當 A=B=5 V,Vo=?(10 分)
#549447
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
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