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103年 - 103 地方政府特種考試_三等_電力工程、電子工程:電子學#42907
> 申論題
題組內容
一、如 下 圖 所 示 為 一 pseudo NMOS 反 相 器 , V
tn
| V
tp
| 0.5 V , V
DD
= 3 V , k
n
,
(W/L)
n
= 8k
p
,
(W/L)
p
= :
(二)若 v
I
為 小題解出的 v
O
值時,v
O
值為何?此時 Q
N
與 Q
P
各處於何種狀態?(10 分)
相關申論題
(一)當 vI = VDD 時,求 vO。此時 QN 與 QP 各處於何種狀態?(截止區、飽和區、三極 管區三者之一)說明理由。(10 分)
#136584
(一)有一個二極體,其電壓電流特性為 I = IS (exp(V/V T ) - 1) ,將此二極體施以順偏壓, 使其電流為 ID。若再加以小信號電流 id,問對應的小信號電壓 vd 應為多少?
#136588
(二)一個以空乏型 N-MOSFET 作為負載、增強型 N-MOSFET 作為推動電晶體的放大 器。說明負載電晶體的本體效應(Body effect)對放大器增益的影響。
#136602
6. 已知下圖疊接放大電路之MOSFET參數K₁=K₂=0.5mA/V²,靜態汲極電流ID為0.5mA,則電路之gm為?
#566892
5. 如圖所示電路,Vi=3.77cos377tV,R=100kΩ,C=1μF,電容電壓初值為零,則輸出電壓Vo為?
#566891
4. 如圖所示電路,若運算放大器具理想特性且Vo=12V,試求電流源I1為?
#566890
3. 如圖所示主動式帶通濾波器,其高頻截止頻率為fH,低頻截止頻率為fL,若C₂=5C₁,R₂=4R₁,則fH/fL為?
#566889
2. 如圖所示電路,假設電源電壓VDD=20V,VSS=-20V,且工作點設置於VGS=-1V,VDS=9V,ID=7mA,汲極電阻RD值約為?
#566888
二、填充題1. 如圖所示電路,若電晶體的切入電壓VBE為0.7V且電阻15kΩ消耗150μW,試求該電晶體的β值為________。
#566887
(二) = 5 V , = 0 V 時, =?
#561019
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