題組內容

五、金屬（功函數 φ_m）與 n 型半導體（摻雜濃度 N_D、功函數 φS、電子親和力 χ_S）結合形成金屬-半導體接面（φ_m ＞ φ_S）。半導體具有導帶底部能量 EC、價帶頂部能量 E_V、費米能量 E_F，其空乏區寬度為 W。

(二)請繪出熱平衡下金屬-半導體接面的電荷分布與電場分布。（6 分）