⑵在此頻率下，若 υg = 90 cosωt V，則 io的函數表示式為何？（10 分）

三、如圖 3 所示之 pnp 型雙載子接面電晶體（bipolar junction transistor）電路，已知其共射極電流增益（common-emitter current gain）β = 50、射基接面電壓 VEB = 0.7 V、基極電阻器 RB = 100 kΩ，為使集極電壓為 VC = 5 V，試求集極電阻器 RC 之值與此時的基集接面電壓。若換成一顆β = 150 之新電晶體，則該新電晶體的基集接面電壓變為多少？新電晶體變成在那一區工作？（25 分）