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98年 - 98 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#47978
> 申論題
一、如圖一所示電路,其中R
1
=100 kΩ,R
2
=3 kΩ,R
3
=1 kΩ,V
S
直流分量為零,求直流 射極電流I
E
,假設β=100,忽略r
o
,求R
i
,V
o
/V
s
,i
o
/i
i
,R
o
。(20 分)
相關申論題
二、如圖二所示電路,其中RS=12 kΩ,RB=R1//R2=12 kΩ,rx=200 Ω,rπ=1 kΩ,,β0=100, RE=1 kΩ,若要讓CE和C1對決定ωL(lower 3dB frequency)有相同影響程度的情況, CE/C1之比值應為何?(20 分)
#166037
三、如圖三所示電路有兩個極點,其中ωo=104 rad/s,Q= ,C1=C2=2nF,求R4,R3之 值為何?(20 分)
#166038
⑴請說明電子電洞對(Electron-hole pair)。(10 分)
#166039
⑵請說明 series-shunt、shunt-series、series-series、shunt-shunt 等反饋電路,其電路 之增益,輸入阻抗及輸出阻抗在加入反饋效應後與無反饋時的改變情形為何。 (10 分)
#166040
⑴請說明在數位電路中,目前 CMOS 電路漸漸取代雙極性接面電晶體(BJT)電路 之原因。(10 分)
#166041
⑵請說明半導體唯讀記憶體(ROMs)。(10 分)
#166042
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
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