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半導體工程
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113年 - 113 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#124513
> 申論題
一、請說明在矽晶圓中 N 型半導體的多數載子是什麼？矽晶圓中 N 型摻雜 物是那些材料？
相關申論題
二、在 P 型矽晶圓，請舉三種製程說明如何用矽晶圓製作電阻？
#529430
三、CVD 與 PVD 之主要差別為何？
#529431
四、IC 製程中可以形成圖案之技術有那些？
#529432
五、請畫出基本的快閃記憶體元件結構圖，它與 NMOS 之間主要的不同是什麼？
#529433
六、半導體製程中量測電阻為何須用四點探針，請畫出其量測圖。
#529434
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
(一)在 t =0 秒時，多數載子和少數載子的濃度各為多少？（10 分）
#560348
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