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101年 - 101 原住民族特種考試_三等_電力工程:電子學#44601
> 申論題
一、請說明二極體在 p-n 接面之空乏區(depletion region)如何形成?同時說明二極體加 順向偏壓及反向偏壓時空乏區之變化。(20 分)
相關申論題
二、假設NMOS元件在閘極及源極加適當VGS 電壓,同時在汲極及源極加適當VDS 電壓 ,讓元件導通於三極管區(triode region),然後VDS再增加時,其IDS電流的變化為 何?同時說明其原因。(20 分)
#147470
⑴Q1及Q2之gm和ro之值。(10 分)
#147471
⑵Af(Af = Vo/ Is)、Rin及Rout之值。(10 分)
#147472
四、請說明如何調整巴特沃濾波器(Butterworth filters)參數以得到所需之Amin及過渡帶 (transition band)?(20 分)
#147473
⑴AM(midband gain)之值。(10 分)
#147474
⑵ 3 dB頻率fH之值。(10 分)
#147475
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
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