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半導體製程
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96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體製程#49315
> 申論題
三、二氧化矽（SiO2）膜蝕刻（etching）製程方式一般有那些？其特性與優缺點各為何？ （20 分）
相關申論題
一、一般光微影（photo-lithography）製程主要包含那些步驟？每個步驟的功能為何？ 光微影（photo-lithography）製程實驗室環境有那些重要因素須控制？（20 分）
#173420
二、在矽晶圓（Si wafer）上形成二氧化矽（SiO2）膜之製程方式一般有那些？各製程形成 之二氧化矽（SiO2）膜品質有何不同？各應用在矽半導體元件之何處？（20 分）
#173421
四、金屬化（metalization）製程方式一般有那些？其特性有何不同？各適用在何處？ （20 分）
#173423
五、請以剖面圖（cross section）敘述在矽晶圓（Si wafer）上製作 CMOS 元件之基本 製程步驟。（20 分）
#173424
⑵請說明在什麼情況下需要使用氮化矽（Si3N4）？與二氧化矽（SiO2）相比，氮化 矽（Si3N4）有什麼缺點？（10 分）
#189985
⑴以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO2及Si3N4，而以電 漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiOx及SiNx ，為什麼？（10 分）
#189984
⑵請說明在什麼情況下需要使用射頻（RF）濺鍍方式而不使用直流（DC）濺鍍方 式？（10 分）
#189983
⑴請說明為什麼很少使用電子槍蒸鍍方式來進行合金金屬蒸鍍？（10 分）
#189982
⑶在擴散過程中，一般都會使用預先沉積（Predeposition）與驅入擴散（Drive-in diffusion）兩個步驟來進行擴散，請說明這兩個步驟分別所扮演的功能為何？ （10 分）
#189981
⑵通常在離子佈植過程中，我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域；而在擴散過 程中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼？（10 分）
#189980
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