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申論題資訊

試卷:113年 - 113 專技高考_電子工程技師:電子學#123979
科目:電子學
年份:113年
排序:0

申論題內容

三、圖三(a) MOSFET kn' = 2.5kp' = 250 μA/V2,Vtn = –Vtp = 0.5 V,各晶體之(W/L)值以及 NMOS 電流 iD 公式如圖三(b)。VDD = VSS = 2.5 V,vS 為小訊號輸入。
當 vS = 0,求算 iD1、iD5,與 Q5、Q6 閘極之電位差 VGG = VG5 – VG6。當 vS> 0且 iL = 9 mA,此電流全由 Q5供應,所對應 vO 之上限值為何?(20 分)