二、圖二為 CMOS 放大器，假設採用 0.18-μm 製程且所有電晶體之 W/L = 7.2 μm/0.36 μm，
= 387 μA/V2，
=86 μA/V2，
=100 μA， 爾利電壓（Early voltage）NMOS 
= 5 V/μm 與 PMOS 
=6 V/μm， 求電晶體 Q1 的轉導值
，電晶體 Q1、Q2 的輸出電阻
，增益大 小（
）。
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二、圖二為 CMOS 放大器，假設採用 0.18-μm 製程且所有電晶體之 W/L = 7.2 μm/0.36 μm， = 387 μA/V2，=86 μA/V2，=100 μA， 爾利電壓（Early voltage）NMOS = 5 V/μm 與 PMOS =6 V/μm， 求電晶體 Q1 的轉導值，電晶體 Q1、Q2 的輸出電阻，增益大 小（）。