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【段考】國一數學上學期
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110年 - 110 彰化縣立福興國中第一學期七年級第二次段考數學科#106084
> 申論題
沒有 【段考】國一數學上學期 權限，請先開通．
詳解 (共 2 筆)
Chen Chien
詳解 #5714295
2023/02/06
-17 -19 -23 ...
(共 79 字，隱藏中）
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La 109鐵佐事務get
詳解 #5427966
2022/04/24
(共 1 字，隱藏中）
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#452697
1. What range of impurity gradient should be considered if we want to obtain the breakdown voltage = 250 to 750 V in a linearly graded Si p-n junction? Assume the breakdown maximum electric field =2.5 x 105 V/cm, = 11.9.
#452698
2. Copper is deposited on an n-type Si substrate to form an ideal Schottky diode. = 4.65 eV, the electron affinity is 4.01 eV, cm3. Calculate the barrier height, the built-in potential, the depletion-layer width, and the maximum field at zero bias. T = 300K. Effective density of states in conduction band is 2.86 X .
#452699
3. Derive the depletion layer width of a p-n junction. Doping concentrations are . Dielectric constant is and the built-in potential is .
#452700
4. Calculate the emitter injection efficiency. Assume the following transistor parameters:Doping concentrations in base and emitter are and . Widths of neutral base and enitter are = 0.8 um and = 0.5 pm.Minority carrier diffusion coefficients in base and emitter are = 20 cm2/s and = 10 cm2/s.
#452701
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