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【段考】高一英文
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100年 - 100上2高一英文 - 臺南市國立善化高中100 上學期高一英文第二次段考(期中考)#52307
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其他申論題
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#189969
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#189970
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#189975
⑴請說明矽晶體與砷化鎵晶體成長（Bulk crystal growth）方式的差異性。（10 分）
#189976
⑵成長薄膜的方式包含沉積（Deposition）與磊晶（Epitaxy），請說明這兩種方式 的差異性。（10 分）
#189977
二、關於二氧化矽（SiO2）、氮化矽（Si3N4）與鋁（Al），請列出各一種最常用的濕式 蝕刻溶液（Wet etchant）。（10 分）
#189978
⑴在離子佈植過程中，由於高能離子撞擊進入半導體晶片內部，造成半導體晶格 （lattice）受到損傷（damage），通常我們會將離子佈植後的半導體晶片進行熱 處理。請說明使用快速熱處理（Rapid thermal processing）方式優於一般傳統的加 熱爐方式之原因為何？（10 分）
#189979
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