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103年 - 103 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#43459
> 申論題
題組內容
三、圖二所示電路中,BJT 電晶體之共射極順向短路電流增益 β
F
= 150,I
bias
= 0.6 mA, V
BE
約為 0.7 V,熱電壓 V
T
為 24 mV,耦合電容 C 接近無限大。
⑵畫出此放大器之小訊號等效電路圖。(10 分)
相關申論題
一、試畫出一互補式金氧半場效電晶體(CMOS)之剖面圖(cross-section),請清楚標 示所使用之各項半導體物質與節點名稱,並解釋源極(Source)與汲極(Drain)之 間通道長度調變效應發生之原因。(20 分)
#139810
⑴試計算直流集極電流及集極電壓。(10 分)
#139812
⑶求出放大器電壓增益 vo / vi =?(10 分)
#139814
⑴忽略寄生電容,試求放大器之電壓增益 vo / vi =?(10 分)
#139815
⑵使用米勒定理,計算此放大器之高頻 3 dB 頻率 fH。(10 分)
#139816
⑶使用開迴路時間常數法,計算此放大器之高頻 3 dB 頻率 fH。(10 分)
#139817
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
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