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離散數學
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96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_資訊工程:離散數學#50534
> 申論題
題組內容
六、令 A={1,2,3,4,5}×{1,2,3,4,5},且對 A 定義關係(relation)R 如下:(20 分) 若 x1+y1=x2+y2 則((x1, y1),(x2, y2))∈ R。
⑵請求出以下每一等價類(the equivalence classes)之內容: [(1, 3)], [(2, 4)], [(1, 1)]。
相關申論題
⑴請輔以數學方程式解釋下列離散時間系統:(10 分) 1線性系統(LINEAR SYSTEM) 2非時變系統(TIME-INVARIANT SYSTEM) 3因果系統(CAUSAL SYSTEM) 4可逆系統(INVERTIBLE SYSTEM)
#179470
二、有一 6 點實數取樣資料序列 x (n ) = {1, 1, 2, 2, 3, 3} ,試計算其相對應之「離散傅立葉 轉換」(DISCRETE FOURIER TRANSFORM, DFT)X(k),並計算 X(k)所對應之振 幅(AMPLITUDE)及相位(PHASE)。(20 分)
#179472
⑴請以方塊圖說明如何將類比訊號(ANALOG SIGNAL)轉換成數位訊號(DIGITAL SIGNAL)的程序?(5 分)
#179473
⑵若有一類比訊號 xa (t ) = 3 cos 50πt + 10 sin 300 πt − cos100 πt ,則此訊號之奈奎斯特取 樣頻率(NYQUIST RATE)為何?(5 分)
#179474
⑶考 慮 一 連 續 時 間 弦 波 訊 號 ( SINUSOIDAL SIGNAL) xa (t ) = cos( 2πf 0 t ) , 其 中 f 0 =10 kHz 1請繪出此訊號之頻譜圖。(3 分) 2請繪出此訊號經取樣頻率為 34 kHz 取樣後之頻譜圖。(3 分) 3請繪出此訊號經取樣頻率為 12 kHz 取樣後之頻譜圖。(4 分)
#179475
一、⑴試繪圖說明 N-MOS 在順向偏壓時的能帶結構圖。
#179480
⑵試繪圖說明 D-MOS(Double-Diffused MOS)之結構圖及其應用。 (20 分)
#179481
二、⑴若由熱氧化法(Thermal Oxidation)成長二氧化矽(SiO2)之厚度為 100nm, 則矽消耗若干?
#179482
⑵試說明傳統的雙極性接面電晶體(BJT)與異質接面雙極性電晶體(HBT)之相 異處。 (20 分)
#179483
三、⑴試說明一面心立方晶體(Face-Center Cubic)之原子結構,並算出整個晶體空間 原子所佔的空間比例為多少?
#179484
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