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半導體元件
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99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體元件#46983
> 申論題
題組內容
一、請回答下列問題：（25 分）
⑶那二個元件物理參數決定 MOSFET 的開關（Switching）速度？
相關申論題
⑴定性地繪出半導體電子遷移率（mobility）對溫度的關係，並且說明高低溫區的主 要散射機制。
#161746
⑵摻雜受體（Acceptor）的半導體，在絕對溫度＝0°K 時，其佛米能階（Fermi level） 位置在何？
#161747
⑷ pn 二極體在高溫時，功能失效，其原因為何？
#161749
⑸請描述歐傑複合（Auger Recombination）機制，並說明其對半導體雷射二極體操 作的影響。
#161750
⑴熱平衡（Thermal equilibrium）下，蕭基能障高度（Schottky barrier height）qФB及 半導體的內建電位能qVbi為何？
#161751
⑵熱平衡下，半導體接面的電子濃度為何？
#161752
⑶熱平衡下，半導體接面的電洞濃度為何？
#161753
⑷熱平衡下，半導體空乏區寬度為何？
#161754
⑸熱平衡下，半導體接面的電洞漂移電流密度（drift current density）大小及方向為 何？
#161755
⑹在順向偏壓下，半導體的少數載子電流密度大小為何？
#161756
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