阿摩線上測驗
登入
首頁
>
核能概論
>
97年 - 97 高等考試_三級_核子工程：核能概論#40369
> 申論題
題組內容
五、請說明下列組件或系統屬於壓水式反應器或沸水式反應器（或者兩者都有），並說 明其主要功能：
⑷ 飼水加熱器（feedwater heater）（3 分）
相關申論題
⑴ 輻射之間接效應（indirect effect）（3 分）
#124006
⑵ 輻射之確定效應（non-stochastic effect）（3 分）
#124007
⑶ 輻射防護之 ALARA 理念（4 分）
#124008
七、核電廠反應器爐心內具有大量過量反應度（excess reactivity），因此必須利用適當 的方法，將可大量吸收中子的物質置入爐心，以平衡過量反應度，請問通常採用的 置入方法及其優缺點為何？（10 分）
#124009
八、負載追隨（load following）是反應器的重要特性，請問壓水式反應器是否具有負載追 隨的特質？其機制為何？沸水式反應器在不加控制的條件下，是否具有負載追隨的 能力？為什麼？又現今之沸水式反應器是如何達到負載追隨的要求？（10 分）
#124010
二、請說明何謂直接能隙（direct bandgap）？何謂間接能隙（indirect bandgap）？砷化 鎵是那一種能隙的材料？（10 分）
#124012
三、以強光照射一 n 型半導體晶片表面，請繪出從表面到晶片深處的能帶圖，包括導帶、 價帶、電子和電洞的準費米能階（quasi-Fermi level）。（15 分）
#124013
五、請說明如何從順向偏壓的電流-電壓特性，計算金屬-半導體接面的蕭基位障（Schottky barrier）高度。（15 分）
#124015
六、請畫出Metali/SiO2/p-type Si在accumulation, depletion, inversion三種狀態的能帶圖。 （15 分）
#124016
七、一層厚度 100 nm 的矽薄膜，如果要用氧化的方式，將 Si 厚度減薄到 50 nm，請問 需要成長多厚的氧化層？（10 分）
#124017
相關試卷
111年 - 111 高等考試_三級_核子工程：核能概論#109271
111年 · #109271
108年 - 108 高等考試_三級_核子工程：核能概論#77868
108年 · #77868
107年 - 107 高等考試_三級_核子工程：核能概論#70926
107年 · #70926
106年 - 106 高等考試_三級_核子工程：核能概論#63439
106年 · #63439
105年 - 105 高等考試_三級_核子工程：核能概論#54371
105年 · #54371
104年 - 104 高等考試_三級_核子工程：核能概論#39597
104年 · #39597
103年 - 103 高等考試_三級_核子工程：核能概論#39820
103年 · #39820
102年 - 102 高等考試_三級_核子工程：核能概論#39991
102年 · #39991
101年 - 101 高等考試_三級_核子工程：核能概論#40303
101年 · #40303
100年 - 100 高等考試_三級_核子工程：核能概論#40316
100年 · #40316
阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入