申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：98年 - 98 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40370
科目：半導體工程
年份：98年
排序：0

申論題內容

七、一層厚度 100 nm 的矽薄膜，如果要用氧化的方式，將 Si 厚度減薄到 50 nm，請問需要成長多厚的氧化層？（10 分）