二、請說明何謂直接能隙（direct bandgap）？何謂間接能隙（indirect bandgap）？砷化鎵是那一種能隙的材料？（10 分）

五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）