阿摩線上測驗 登入

申論題資訊

試卷:106年 - 106 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組):半導體概論#108990
科目:中山◆電機◆半導體概論
年份:106年
排序:0

申論題內容

1. The resistivity of a silicon bulk is reduced by1.5 Ω-cm after doping62c67e96dd758.jpg donor atoms. The electron mobilities of Si are 1300 and 1100 cm2/V-s before and after the doping process. Calculate the initial electron density in this material before the donors are added. T = 300 K. (20%)