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计算机等级考试—四级—《软件测试工程师》

就業安全制度

勞資關係

115年 - 115 專技高考_專利師（選試專業英文及電子學）、專利師（選試專業日文及電子學）：電子學#143699(18題)

115年 - 115 專技高考_專利師（選試專業英文及工程力學）、專利師（選試專業英文及生物技術）、專利師（選試專業英文及電子學）、專利師（選試專業英文及物理化學）、專利師（選試專業英文及工業設計）、專利師（選試專業英文及計算機結構）：專業英文#143698(28題)

115年 - 115 專技高考_專利師（選試專業英文及工業設計）、專利師（選試專業日文及工業設計）：工業設計#143697(8題)

115年 - 115 專技高考_專利師（選試專業日文及工程力學）、專利師（選試專業日文及生物技術）、專利師（選試專業日文及電子學）、專利師（選試專業日文及物理化學）、專利師（選試專業日文及工業設計）、專利師（選試專業日文及計算機結構）：專業日文#143696(27題)

115年 - 115 專技高考_專利師：專利審查基準與實務#143695(22題)

115年 - 115 專技高考_專利師：專利法規#143694(22題)

115年 - 115 專技高考_會計師：公司法、證券交易法與商業會計法#143693(30題)

115年 - 115 專技高考_專利師：專利行政與救濟法規#143692(25題)

115年 - 115 專技高考_會計師：高等會計學#143691(46題)

115年 - 115 專技高考_專利師（選試專業英文及物理化學）、專利師（選試專業日文及物理化學）：物理化學#143690(12題)

146. 以一含內阻之電源提供負載功率，當負載獲得最大輸出功率時，其傳輸效率為何？ 鐵路、國安特考 112 (A)25% (B)50% (C)60% (D)80%

145. 以 KCL 求解右圖示電路時，下列何者為節點 Vb 之正確表示式？ 初等考 114 (A)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 = 0 (B)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 + R4 = 0 (C)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 –(Vb – Vc)/R2 = 0 (D)(Vb – Va)/R1 + (Vb – Vc)/R2 = 0

144. 如下圖所示之電路，則電流 I 為多少安培？ 初等考 114 (A) –2 (B)\( \frac{4}{3} \)(C)4 (D)6

四、通過 ISO/IEC 17025 國際標準認證是維持鑑識科學實驗室品質的重要方式之一，該國際標準中要求實驗室對於量測之設備需評估其量測不確定度，試說明何謂「量測不確定度」？並舉例說明 1 種以上評估及計算方式。

三、試說明紅外線攝影及螢光攝影之原理與運用時應注意事項，並各舉一例其技術在刑案現場之應用。

(四)進行指紋比對時，研判兩枚指紋為個化結果之條件，除需紋型相符外，另需達 12 個指紋特徵點相符，其理由何在？(10 分)

國民教育法條

講師：【站僕】摩檸Morning.

簡介：國民教育法條

教育基本法

講師：【站僕】摩檸Morning.

簡介：教育基本法

師資培育法

講師：【站僕】摩檸Morning.

簡介：師資培育法

責任中心

描述：責任中心 為了達到激勵的目標、績效的評估及預算的編列，責任中心制度於是產生。 (1)成本中心： 成本為部門...

營運週期

描述：營運週期從支付購買存貨現金起算 ->營業週期=售貨天數 + 收款天數 營運週期越短，營運資金被呆滯的時間越久...

函數分類

描述：函數分線型與非線型

25. Matt：Hi, Alice. How are you?Alice：Not so good. I don’t feel very well.Matt：_____________________________(A) That’s wonderful. (B) You are sorry.(C) That’s too bad. (D) I’m glad to know that.

27. Alan：We are going to play in the championship final next Saturday.Lisa：______________________(A) It’s my treat! (B) I don’t know.(C) I need a farm. (D) Wow! I wish you good luck in the final.

43.慢性骨髓性白血病，其病因是在第9號染色體（ABL locus）和第22號染色體（BCR區）的長臂有相互平衡的轉位（balanced translocation），導致有BCR-ABL1癌蛋白（oncoprotein）產生。下列敘述何者錯誤？(A)因染色體斷裂點不同，可以導致有不同的分子量之BCR-ABL1癌蛋白，其中以p210最為常見(B)BCR-ABL1癌蛋白會使tyrosine kinase的活性增加而使細胞過度生長 (C)臨床上可以利用定量此一變異來檢測疾病控制的效果(D)輻射傷害常常會導致這種轉位

複選題17. A harmonic oscillator with charge $q$ is initially in an eigenstate $|n\rangle$. It is subjected to a time-dependent electric field $\mathcal{E}(t)$ along the $x$-axis, resulting in the perturbing Hamiltonian $\hat{H}'(t) = -q\mathcal{E}(t)\hat{x}$. Based on the properties of the position operator $\hat{x}$, which of the following transitions are allowed in first-order perturbation theory? (A) $n \to n + 1$ (B) $n \to n - 1$ (C) $n \to n + 2$ (D) $n \to n - 2$ (E) $n \to n$

複選題18. In a Compton scattering experiment, the spectrum of scattered X-rays displays two distinct peaks: a modified peak at wavelength $\lambda'$ and an unmodified peak at the incident wavelength $\lambda$. The Compton shift is defined as $\Delta \lambda = \lambda' - \lambda$. Which of the following statements regarding this experiment are correct? (A) The modified peak is due to scattering from loosely bound electrons. (B) The Compton shift $\Delta \lambda$ is independent of the wavelength $\lambda$ of the incident X-ray. (C) The Compton shift $\Delta \lambda$ is always smaller than or equal to zero ($\Delta \lambda \leq 0$). (D) The Compton shift $\Delta \lambda$ depends strongly on the atomic number $Z$ of the target material. (E) The Compton shift $\Delta \lambda$ varies with the scattering angle $\theta$.

複選題19. A Light Emitting Diode (LED) is a p-n junction diode that emits light when activated. Which of the following statements correctly describe the physics and operation of a standard LED? (A) The device must be forward-biased to function properly. (B) The wavelength (color) of the emitted light is primarily determined by the band gap energy $(E_{g})$ of the semiconductor material. (C) The emission process relies on the spontaneous recombination of electron-hole pairs. (D) Indirect band gap semiconductors, such as pure Silicon (Si) or Germanium (Ge), are the most efficient materials for manufacturing visible light LEDs. (E) The intensity of the emitted light decreases as the forward current increases.