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研究所、轉學考(插大)◆警察人力資源管理

研究所、轉學考(插大)◆警察組織

研究所、轉學考(插大)◆行政法及警察法學

115年 - 115 高等考試_二級_土壤肥料：土壤資源調查與利用規劃研究#145741(12題)

115年 - 115 高等考試_二級_環境工程：環境工程與設計#145740(9題)

115年 - 115 高等考試_二級_環境工程：環境規劃與管理#145739(4題)

115年 - 115 高等考試_二級_水利工程：水資源工程#145738(5題)

115年 - 115 高等考試_二級_都市計畫技術：環境規劃與都市設計理論與實務#145737(4題)

115年 - 115 高等考試_二級_都市計畫技術：都市計畫、區域計畫與國土計畫相關法令與政策#145736(4題)

115年 - 115 高等考試_二級_都市計畫技術：都市交通運輸與土地使用計畫理論與實務#145735(5題)

115年 - 115 高等考試_二級_環境工程：環境化學與環境微生物學#145734(4題)

115年 - 115 中華郵政股份有限公司_職階人員職階晉升甄試試題_專業職(一)晉升營運職：郵政法規(包括郵政法、郵政儲金匯兌法、簡易人壽保險法、郵件處理規則及郵務營業規章)#145685(11題)

115年 - 115-1薦任公務人員晉升簡任官等訓練及警正警察人員晉升警監官等訓練試題：情境寫作#145679(2題)

146. 以一含內阻之電源提供負載功率，當負載獲得最大輸出功率時，其傳輸效率為何？ 鐵路、國安特考 112 (A)25% (B)50% (C)60% (D)80%

145. 以 KCL 求解右圖示電路時，下列何者為節點 Vb 之正確表示式？ 初等考 114 (A)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 = 0 (B)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 + R4 = 0 (C)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 –(Vb – Vc)/R2 = 0 (D)(Vb – Va)/R1 + (Vb – Vc)/R2 = 0

144. 如下圖所示之電路，則電流 I 為多少安培？ 初等考 114 (A) –2 (B)\( \frac{4}{3} \)(C)4 (D)6

四、通過 ISO/IEC 17025 國際標準認證是維持鑑識科學實驗室品質的重要方式之一，該國際標準中要求實驗室對於量測之設備需評估其量測不確定度，試說明何謂「量測不確定度」？並舉例說明 1 種以上評估及計算方式。

三、試說明紅外線攝影及螢光攝影之原理與運用時應注意事項，並各舉一例其技術在刑案現場之應用。

(四)進行指紋比對時，研判兩枚指紋為個化結果之條件，除需紋型相符外，另需達 12 個指紋特徵點相符，其理由何在？(10 分)

會計學 測試

講師：【站僕】摩檸Morning.

簡介：會計學

國一下數學-康軒版

講師：【站僕】摩檸Morning.

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國二上 數學 康軒版

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溝通與衝突

課程：企業管理
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描述：重點摘要 溝通的類型 溝通的過程 正式溝通 非正式溝通 衝突的來源 衝突的觀點 衝突管理矩陣

控制

課程：企業管理
章節：管理功能

描述：重點摘要 控制的程序 有效控制原則 事前、事中、事後控制 其他控制類型

人力資源管理

課程：企業管理
章節：企業功能

描述：重點摘要 工作分析與工作說明書和工作規範書 內部徵才 VS.外部徵才 效度 VS.信度 常用於甄選員工的工具...

73.下列那一個輻射源是中子射源？ (A)32P (B)210Pu-Be (C)60Co (D)147Pm-Au

1 在卵受孕過程中，前三週之著床期（preimplantation）過度輻射曝露，最易造成那種後果？ (A)嬰兒患器官發育畸形症 (B)嬰兒患生長遲滯症 (C)後代白血病發生率增加 (D)造成不自知之流產

1. 有關下列之敘述，何者正確？(A) 財政部國際貿易署為我國的貿易主管機關(B) 代理交易是委託人與代理人間一種買斷關係(C) 衛生福利部負責藥品、醫療器材、食品及化妝品等進出口審理(D) 關務署掌理貨物進出口驗關、徵稅及退保稅，其主管機關為經濟部。

2. 甲公司以CIF Dubai出口貨物，並依一般慣例投保最低基本險。貨物裝船後，因航經戰區遭受戰爭行為損失。若契約未特別約定加保戰爭險，下列何者最正確？(A) 因為是CIF，故一切風險均由賣方承擔至目的港(B) 因為賣方已投保，所以保險人一定全額理賠(C) 戰爭危險通常非基本險自動承保範圍，未加保時，該部分損失可能由買方自行承擔(D) 買方可主張CIF一律包含戰爭險。

20.在花店各式花籃的慶賀賀卡上的題辭，下列何者錯誤？ (A)長輩嫁女：摽梅迨吉 (B)好友遷居：良禽擇木 (C)晚輩訂婚：緣定三生 (D)親戚生兒：弄瓦徵祥

(二)請就一 n 型 MOSFET 元件中的 LDD(lightly doped drain) 、halo 與 APT (anti-punch through)等三項離子佈植步驟，說明其主要目的與植入雜質型式(n 型、p 型或均可) 。(15 分)