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最新科目
一般警察三等◆法學知識
科目：
一般警察三等◆法學知識
分類ID：
3940
一般警察四等◆法學知識
科目：
一般警察四等◆法學知識
分類ID：
3941
移民三等◆法學知識
科目：
移民三等◆法學知識
分類ID：
3942
最新試卷
101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_化工技術員：普通化學#16049
科目：
普通化學
年份：
101年
題數：
40 題
100年 - 100 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_化工技術員：普通化學#16050
科目：
普通化學
年份：
100年
題數：
40 題
97年 - 教育部受託辦理97學年度國立高級中等學校教師甄選化學科#16051
科目：
教甄◆化學專業/化工科
年份：
97年
題數：
32 題
最新試題
試題
試卷：
114年 - 114 新北市國民中學技藝競賽：機械職群 101-150#137010
科目：
國中技藝-機械職群
內容：
118. 閱讀工作圖的第一步驟是瞭解圖面的(A)材料(B)加工方法(C)表面符號(D)投影法。
試題
試卷：
114年 - 114 新北市國民中學技藝競賽：機械職群 101-150#137010
科目：
國中技藝-機械職群
內容：
119. 左圖之符號表示(A)第一角投影法(B)第二角投影法(C)第三角投影法(D)第四角投影法。
試題
試卷：
114年 - 114 新北市國民中學技藝競賽：機械職群 101-150#137010
科目：
國中技藝-機械職群
內容：
120. 工作圖中常用的三視圖是(A)前視圖、右側視圖、左側視圖(B)前視圖、俯視圖、仰視圖(C)俯視圖、右側視圖...
最新申論題
申論題
試卷：
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：
半導體工程
題組：
三、在T 「300 K 下，一個 n 型矽半導體中，施體濃度為 N d= 1017 cm-3 ，本質 載子濃度為 ni= 1.5 ✖ 1010...
內容：
(一)在 t =0 秒時，多數載子和少數載子的濃度各為多少？（10 分）
申論題
試卷：
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：
半導體工程
題組：
三、在T 「300 K 下，一個 n 型矽半導體中，施體濃度為 N d= 1017 cm-3 ，本質 載子濃度為 ni= 1.5 ✖ 1010...
內容：
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
申論題
試卷：
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：
半導體工程
題組：
四、
內容：
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
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