三、在T 「300 K 下，一個 n 型矽半導體中，施體濃度為 N d= 1017 cm-3 ，本質 載子濃度為 ni= 1.5 ✖ 1010 cm -3 。若在 t= 0 秒時產生1016 cm -3 的過量載子， 請回答下列問題：
(一)在 t =0 秒時，多數載子和少數載子的濃度各為多少？（10 分）
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