申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：半導體工程
年份：114年
排序：0

四、

(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）