107年 - 107 高等考試_二級_電子工程：電子元件#72464

科目：電子元件 | 年份：107年 | 選擇題數：0 | 申論題數：6

試卷資訊

所屬科目：電子元件

選擇題 (0)

申論題 (6)

⑴分析 pn 接面順偏電流-電壓特性時，會假設在空乏區之外的是準中性區（quasi-neutral region, QNR）。說明此區域的特性。（10 分）

⑵若不假設上述區域是中性區，該如何分析 pn 接面的順偏電流-電壓特性？（10 分）

二、雙擴散 npn-BJT 的摻雜濃度分布如下圖所示，說明基極區濃度分布對元件特性的影響。（20 分）

三、長通道 n-MOSFET 在 V_GS＞V_T時的電流 - 電壓關係是，在 V_GS＜V_T時的電流-電壓關係是。列出四種以電流-電壓關係萃取 MOSFET V_T的方法，並說明之。（20 分）

四、要提高接面型場效電晶體（JFET）的夾斷電壓（pinch-off voltage）該如何設計元件？（20 分）

五、一個 n-MOSFET 操作在飽和區時，其本身包含了那些寄生的被動元件和主動元件？逐一說明這些寄生元件在結構上的位置和操作狀態。（20 分）