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112年 - 112 高等考試_二級_電子工程：電子元件#116767

科目：電子元件 | 年份：112年 | 選擇題數：0 | 申論題數：17

試卷資訊

所屬科目：電子元件

選擇題 (0)

申論題 (17)

(一)電洞濃度 po = ？電子濃度 no = ？（6 分）
(二)該材料的電阻率（resistivity）=？（7 分）

(三)照光下均勻產生電子與電洞△n = △p = 1016 cm-3，於穩態下假設位移率不變，該材料之導電率（conductivity）=？（7 分）

(一)於順偏壓 VF = 0.1 V 下，在 p 區的空乏區寬度 Wp 相對在 n 區的空乏區寬度 Wn 兩者之比例 Wp /Wn =？（5 分）
(二)於順偏壓 VF = 0.1 V 下，在 Wn 處的電洞濃度相對熱平衡時之比例為 pn(x = Wn)/pno =？（5 分）

(三)於順偏壓 VF = 0.1 V 下，在 n 區相對熱平衡多出的電洞濃度分布於 x ≥ Wn 區之△pn(x)表示式為何？（6 分）
(四)於順偏壓 VF = 0.1 V 下，在 Wn 處的電洞電流密度 Jp(x = Wn) =？（6 分）
(五)於反偏壓 VR = 8 V 下，元件之空乏區寬度 W =？（6 分）
(六)於反偏壓 VR = 8 V 下，在 p 區的電子擴散長度（diffusion length）Ln 相對在 n 區的電洞擴散長度 Lp 兩者之比例 Ln /Lp =？（6 分）
(七)於反偏壓 VR = 8 V 下，元件之電流密度 Js =？（6 分）
(一)矽基板（substrate）之壓降φs =？
(二)矽基板（substrate）空乏區總電荷量 QD =？
(三)氧化層壓降 VOX = ？
(四)偏壓 VG = ？

(一)直流共基極電流增益（dc common-base current gain）α0 = ？（6 分）

(二)小信號共基極電流增益（small signal common-base current gain）α =？ （7 分）
(三)基極電流 JB =？（7 分）