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112年 - 112 高等考試_二級_電子工程:電子元件#116767
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題組內容
四、對於 npn 雙極性接合面電晶體(BJT)操作於順向作用區,元件之射基極間加上順偏,理論上流過空乏區之電子與電洞電流分別為 J
nE
與 J
pE
, 另考慮順偏壓時之額外復合電流 J
R
。元件之基集極間加上反偏,理論上 流過空乏區之電子與電洞電流分別為 J
nC
與 J
pc0
,另考慮反偏壓時之額外 產生電流 J
G
,請以上述相關電流符號列式表示 BJT 元件與下列參數之 關係:
(三)基極電流 J
B
=?(7 分)
相關申論題
(一)電洞濃度 po = ?電子濃度 no = ?(6 分)
#498874
(二)該材料的電阻率(resistivity)=?(7 分)
#498875
(三)照光下均勻產生電子與電洞△n = △p = 1016 cm-3,於穩態下假設位移率不變,該材料之導電率(conductivity)=?(7 分)
#498876
(一)於順偏壓 VF = 0.1 V 下,在 p 區的空乏區寬度 Wp 相對在 n 區的空乏區寬度 Wn 兩者之比例 Wp /Wn =?(5 分)
#498877
(二)於順偏壓 VF = 0.1 V 下,在 Wn 處的電洞濃度相對熱平衡時之比例為 pn(x = Wn)/pno =?(5 分)
#498878
(三)於順偏壓 VF = 0.1 V 下,在 n 區相對熱平衡多出的電洞濃度分布於 x ≥ Wn 區之△pn(x)表示式為何?(6 分)
#498879
(四)於順偏壓 VF = 0.1 V 下,在 Wn 處的電洞電流密度 Jp(x = Wn) =?(6 分)
#498880
(五)於反偏壓 VR = 8 V 下,元件之空乏區寬度 W =?(6 分)
#498881
(六)於反偏壓 VR = 8 V 下,在 p 區的電子擴散長度(diffusion length)Ln 相對在 n 區的電洞擴散長度 Lp 兩者之比例 Ln /Lp =?(6 分)
#498882
(七)於反偏壓 VR = 8 V 下,元件之電流密度 Js =?(6 分)
#498883
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