申論題

一、某矽晶體材料均勻摻雜濃度為 5✖ 10¹³ cm^-3 硼(B)原子，已知常溫（300 k）下矽的本質載子濃度為 ni = 1.5 ✖ 10¹⁰ cm^-3，q = 1.6 ✖ 10^-19 C，電子與電洞的位移率（mobility）分別為μn = 1350 cm²/v●s 及μp = 480 cm²/v●s，於熱平衡時請求出：

(三)照光下均勻產生電子與電洞△n = △p = 10¹⁶ cm^-3，於穩態下假設位移率不變，該材料之導電率（conductivity）=？（7 分）